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龍圖騰網獲悉淮安捷泰新能源科技有限公司申請的專利背接觸太陽能電池及其制備方法、光伏組件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120239365B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510712308.7，技術領域涉及：H10F77/14；該發明授權背接觸太陽能電池及其制備方法、光伏組件是由張小帥;周福深;張滿良;魯偉明設計研發完成，并于2025-05-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本背接觸太陽能電池及其制備方法、光伏組件在說明書摘要公布了：一種背接觸太陽能電池及其制備方法、光伏組件，屬于太陽能電池技術領域。背接觸太陽能電池包括：硅基底；硅基底的第一表面的第一區域包括第一摻雜多晶硅層；硅基底的第一表面的第二區域包括第二摻雜多晶硅層；第二表面設置有鈍化減反射層；第一摻雜多晶硅層包括第一摻雜元素，第二摻雜多晶硅層包括第二摻雜元素，第一摻雜多晶硅層為P型摻雜多晶硅層，第二摻雜多晶硅層為N型摻雜多晶硅層，硅基底對應第一區域的雜質的濃度N110、硅基底對應隔離區域的雜質的濃度N130、硅基底對應第二區域的雜質的濃度N120滿足：N130≤N120N110，可以降低減少在隔離區域的載流子的復合，從而可以提高背接觸太陽能電池的效率。

本發明授權背接觸太陽能電池及其制備方法、光伏組件在權利要求書中公布了：1.一種背接觸太陽能電池，其特征在于，包括： 硅基底（1），所述硅基底（1）具有相對的第一表面和第二表面，所述第一表面設置有第一區域（110）、第二區域（120）和位于所述第一區域（110）和所述第二區域（120）之間的隔離區域（130）； 所述第一區域（110）包括沿所述硅基底（1）的厚度方向依次設置的第一隧穿氧化層（2）、第一摻雜多晶硅層（3）、第一鈍化層（71）和第一電極（8）； 所述第二區域（120）包括沿所述硅基底（1）的厚度方向依次設置的第二隧穿氧化層（4）、第二摻雜多晶硅層（5）、第二鈍化層（72）和第二電極（9）； 所述第二表面設置有鈍化減反射層（6）； 所述第一摻雜多晶硅層（3）包括第一摻雜元素，所述第二摻雜多晶硅層（5）包括第二摻雜元素，所述第一摻雜多晶硅層（3）為P型摻雜多晶硅層，所述第二摻雜多晶硅層（5）為N型摻雜多晶硅層； 其中，所述隔離區域（130）為凹槽，所述凹槽的靠近所述第二區域（120）的側壁包括所述第二摻雜元素，所述硅基底的靠近所述鈍化減反射層（6）的表面的所述第一摻雜元素和所述第二摻雜元素的濃度之和小于1×1016atomcm3； 所述硅基底（1）包括雜質，所述雜質包括鐵、鎳、鉻中的至少一種，所述硅基底（1）對應所述第一區域（110）的雜質的濃度N110、所述硅基底（1）對應所述隔離區域（130）的雜質的濃度N130、所述硅基底（1）對應所述第二區域（120）的雜質的濃度N120滿足：N130≤N120N110，1×108atomcm3≤N130≤1×1016atomcm3。

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