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龍圖騰網獲悉江蘇芯德半導體科技股份有限公司申請的專利一種集成電容與PMIC芯片的高密度堆疊封裝結構及封裝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120184111B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510652690.7，技術領域涉及：H01L23/367；該發明授權一種集成電容與PMIC芯片的高密度堆疊封裝結構及封裝方法是由趙玥;謝雨龍;張夢瑞;張衛;程錢錢設計研發完成，并于2025-05-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種集成電容與PMIC芯片的高密度堆疊封裝結構及封裝方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種集成電容與PMIC芯片的高密度堆疊封裝結構及封裝方法，該封裝結構將PMIC芯片和LSI芯片分別嵌入兩層塑封層，PMIC芯片和LSI芯片均具有TSV通孔，兩層塑封層之間加工有電容電路及中間重布線層，形成了雙層塑封通孔中介層，在雙層塑封通孔中介層兩側加工重布線層，頂部連接HBM芯片和SOC芯片，底部焊接于基板上，基板的底部植球，且在兩層塑封層中內埋散熱片，散熱片與基板的散熱通道連接傳導熱量，基板上罩有散熱蓋。該封裝方法中采用塑封通孔和塑封嵌入芯片技術形成了高密度3D堆疊封裝，通過PMIC芯片與電容與處理器垂直連接，縮短連接路徑，解決高性能處理器的電壓電流不足、功率不足及散熱問題。

本發明授權一種集成電容與PMIC芯片的高密度堆疊封裝結構及封裝方法在權利要求書中公布了：1.一種集成電容與PMIC芯片的高密度堆疊封裝結構，其特征在于，包括： 基板； 異質芯片，所述異質芯片包括HBM芯片和SOC芯片； 雙層塑封通孔中介層，所述雙層塑封通孔中介層鍵合于基板，所述異質芯片鍵合于雙層塑封通孔中介層； 所述雙層塑封通孔中介層包括自下而上依次設置的底層塑封通孔內埋芯片層、中間重布線層、頂層塑封通孔內埋芯片層，所述底層塑封通孔內埋芯片層內設有PMIC芯片，所述頂層塑封通孔內埋芯片層內設有LSI芯片，所述中間重布線層的內部設有電容電路，所述PMIC芯片和LSI芯片均具有TSV通孔，所述LSI芯片通過TSV通孔兩端分別與中間重布線層、異質芯片互聯，所述LSI芯片與電容電路互聯，所述PMIC芯片通過TSV通孔兩端分別與基板、中間重布線層互聯，所述PMIC芯片與電容電路互聯； 散熱蓋，所述散熱蓋具有頂蓋和四周的圍堰，所述頂蓋貼裝于異質芯片上，所述圍堰貼裝于基板上，所述雙層塑封通孔中介層和基板內均布置有散熱片，所述基板的散熱片一端連接雙層塑封通孔中介層的散熱片，所述基板的散熱片另一端連接散熱蓋的圍堰。

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