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龍圖騰網(wǎng)獲悉北京晶澳太陽(yáng)能光伏科技有限公司申請(qǐng)的專利一種太陽(yáng)能電池及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120187111B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510660545.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F10/14；該發(fā)明授權(quán)一種太陽(yáng)能電池及其制備方法是由周超;呂晨;呂鵬飛設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-05-21向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種太陽(yáng)能電池及其制備方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明提供了一種太陽(yáng)能電池及其制備方法。該太陽(yáng)能電池包括硅基體，硅基體的正面具有絨面結(jié)構(gòu)，硅基體的正面劃分為工作區(qū)域和邊緣隔離區(qū)域，工作區(qū)域包括由內(nèi)向外依次設(shè)置在正面上的p型發(fā)射極、第一鈍化層和第一電極，邊緣隔離區(qū)包括設(shè)置在正面上的第一鈍化層，硅基體的背面由內(nèi)向外依次設(shè)置有隧穿氧化層、n型摻雜多晶硅層、第二鈍化層和第二電極，其中，工作區(qū)域中絨面結(jié)構(gòu)的反射率為R1，邊緣隔離區(qū)域中絨面結(jié)構(gòu)的反射率為R2，R1R2在0.3?3的范圍內(nèi)，且工作區(qū)域的絨面結(jié)構(gòu)基底與邊緣隔離區(qū)域的絨面結(jié)構(gòu)基底的距離在3μm?10μm的范圍內(nèi)。

本發(fā)明授權(quán)一種太陽(yáng)能電池及其制備方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種太陽(yáng)能電池，包括硅基體，所述硅基體的正面具有絨面結(jié)構(gòu)，所述硅基體的正面劃分為工作區(qū)域和邊緣隔離區(qū)域，所述工作區(qū)域包括由內(nèi)向外依次設(shè)置在所述正面上的p型發(fā)射極、第一鈍化層和第一電極，所述邊緣隔離區(qū)包括設(shè)置在所述正面上的第一鈍化層，所述硅基體的背面由內(nèi)向外依次設(shè)置有隧穿氧化層、n型摻雜多晶硅層、第二鈍化層和第二電極，其中， 所述工作區(qū)域中絨面結(jié)構(gòu)的反射率為R1，所述邊緣隔離區(qū)域中絨面結(jié)構(gòu)的反射率為R2，R1R2在0.3-3的范圍內(nèi)，且 所述工作區(qū)域的絨面結(jié)構(gòu)基底與所述邊緣隔離區(qū)域的絨面結(jié)構(gòu)基底的距離在3μm-10μm的范圍內(nèi)，所述邊緣隔離區(qū)域的邊緣經(jīng)激光切割形成。

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