買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉深圳環(huán)光時代技術(shù)有限公司申請的專利一種硅光發(fā)射芯片的可靠性測試系統(tǒng)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120064951B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510556405.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01R31/28；該發(fā)明授權(quán)一種硅光發(fā)射芯片的可靠性測試系統(tǒng)是由陳晨;曾征輝;黎智韜設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-04-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種硅光發(fā)射芯片的可靠性測試系統(tǒng)在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種硅光發(fā)射芯片的可靠性測試系統(tǒng)，包括：濕熱試驗(yàn)箱，用于調(diào)節(jié)測試環(huán)境；放置在濕熱試驗(yàn)箱內(nèi)的芯片貼裝板，并且芯片貼裝板的貼裝面設(shè)置有焊點(diǎn)區(qū)域、多個芯片貼裝區(qū)域和多個焊盤區(qū)域，多個芯片貼裝區(qū)域中每個芯片貼裝區(qū)域均用于貼裝需要測試的硅光發(fā)射芯片，并且多個焊盤區(qū)域中每個焊盤區(qū)域均設(shè)置在對應(yīng)的芯片貼裝區(qū)域的周圍，以及焊點(diǎn)區(qū)域中每個焊點(diǎn)均與多個需要測試的硅光發(fā)射芯片中每個需要測試的硅光發(fā)射芯片的相同引腳焊盤電連接；主控板用于同時對多個需要測試的硅光發(fā)射芯片的工作條件進(jìn)行調(diào)節(jié)，進(jìn)行多種情況下的可靠性測試，從而能夠提高兼容性、測試可信度，也對主控板的元件進(jìn)行保護(hù)，避免主控板直接在溫?zé)峥刂葡鋬?nèi)。

本發(fā)明授權(quán)一種硅光發(fā)射芯片的可靠性測試系統(tǒng)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種硅光發(fā)射芯片的可靠性測試系統(tǒng)，其特征在于，包括： 濕熱試驗(yàn)箱，所述濕熱試驗(yàn)箱用于調(diào)節(jié)測試環(huán)境； 芯片貼裝板，所述芯片貼裝板能夠放置在所述濕熱試驗(yàn)箱內(nèi)，并且所述芯片貼裝板的貼裝面設(shè)置有焊點(diǎn)區(qū)域、多個芯片貼裝區(qū)域和多個焊盤區(qū)域，所述多個芯片貼裝區(qū)域中每個芯片貼裝區(qū)域均用于貼裝需要測試的硅光發(fā)射芯片，并且所述多個焊盤區(qū)域中每個焊盤區(qū)域均設(shè)置在對應(yīng)的一個芯片貼裝區(qū)域的周圍，以及所述焊點(diǎn)區(qū)域中每個焊點(diǎn)均與多個所述需要測試的硅光發(fā)射芯片中每個所述需要測試的硅光發(fā)射芯片的相同引腳焊盤電連接； 主控板，所述主控板能夠設(shè)置在所述濕熱試驗(yàn)箱外部，并且所述主控板和所述芯片貼裝板電連接，所述主控板用于同時對多個所述需要測試的硅光發(fā)射芯片的工作條件進(jìn)行調(diào)節(jié)，并進(jìn)行多種所述工作條件下的可靠性測試； 所述芯片貼裝板的貼裝面進(jìn)一步設(shè)置有貼裝在所述芯片貼裝板上的多個激光器和多個光纖陣列，并且每個所述需要測試的硅光發(fā)射芯片均對應(yīng)有一個所述激光器和一個所述光纖陣列；所述可靠性測試包括光電性能測試； 其中，所述主控板，具體用于：在給多個所述需要測試的硅光發(fā)射芯片的所有通道進(jìn)行供電的情況下，設(shè)置所述需要測試的硅光發(fā)射芯片的監(jiān)控光電二極管的MPD反偏電壓，并通過所述監(jiān)控光電二極管對應(yīng)的光纖陣列將其對應(yīng)的激光器發(fā)出的激光脈沖的光功率耦合到其對應(yīng)的需要測試的硅光發(fā)射芯片的每個MZM通道中，記錄所述監(jiān)控光電二極管對應(yīng)的激光器的激光輸入光功率、所述監(jiān)控光電二極管對應(yīng)的激光器的激光輸出光功率和所述監(jiān)控光電二極管的兩路光電流，以及計算并記錄所述監(jiān)控光電二極管對應(yīng)的需要測試的硅光發(fā)射芯片對應(yīng)通道的MZM調(diào)制器插入損耗；關(guān)閉所述激光輸入光功率，記錄所述監(jiān)控光電二極管的兩路暗電流；設(shè)置所述監(jiān)控光電二極管的MZM調(diào)制器反偏電壓，并記錄所述監(jiān)控光電二極管對應(yīng)的需要測試的硅光發(fā)射芯片對應(yīng)通道的MZM調(diào)制器漏電流；調(diào)節(jié)其恒定電流輸出，測試并記錄所述監(jiān)控光電二極管對應(yīng)的需要測試的硅光發(fā)射芯片的芯片內(nèi)部電阻；在通過同軸電纜連接所述監(jiān)控光電二極管對應(yīng)的需要測試的硅光發(fā)射芯片MZM調(diào)制端口的情況下，設(shè)置MZM調(diào)制器反偏電壓，調(diào)節(jié)恒定電流輸出直至所述激光輸出光功率達(dá)到最高點(diǎn)，再調(diào)回所述MZM調(diào)制器的線性區(qū)，并用相應(yīng)的矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀進(jìn)行帶寬測試，記錄帶寬測試數(shù)據(jù)；將所述MZM調(diào)制器RF端口的電壓逐步增加到與所述反偏電壓相關(guān)的電壓范圍內(nèi)，并記錄監(jiān)控光電二極管對應(yīng)的激光器的功率輸出處的最小光功率和最大光功率，以及計算所述最大光功率和所述最小光功率的光功率差值作為光調(diào)制幅度；在通電預(yù)設(shè)時間后，重復(fù)執(zhí)行上述步驟，得到重復(fù)執(zhí)行后得到的新的記錄數(shù)據(jù)，并將所述新的記錄數(shù)據(jù)和重復(fù)執(zhí)行前得到的記錄數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，得到所述光電性能測試的測試結(jié)果。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人深圳環(huán)光時代技術(shù)有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市福田區(qū)福保街道福保社區(qū)桃花路6號騰飛工業(yè)大廈A棟5層；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。