蘇州大學楊新波獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉蘇州大學申請的專利電子鈍化接觸結構、制備方法及太陽能電池獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119997671B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510476310.9，技術領域涉及：H10F77/30；該發明授權電子鈍化接觸結構、制備方法及太陽能電池是由楊新波;周俊;張曉宏設計研發完成，并于2025-04-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本電子鈍化接觸結構、制備方法及太陽能電池在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體制造領域，具體地說，是涉及一種電子鈍化接觸結構、制備方法及太陽能電池。該電子鈍化接觸結構包括依次層疊設置的硅襯底、隧穿層和二氧化鈦層，所述二氧化鈦層包括沿厚度方向設置的第一二氧化鈦子層和第二二氧化鈦子層；所述二氧化鈦層通過原子層沉積工藝連續沉積形成第一二氧化鈦子層和第二二氧化鈦子層，其中，所述第一二氧化鈦子層為非晶結構，所述第二二氧化鈦子層為晶態結構。
本發明授權電子鈍化接觸結構、制備方法及太陽能電池在權利要求書中公布了：1.一種電子鈍化接觸結構的制備方法，其特征在于，包括： 提供硅襯底； 在所述硅襯底上形成隧穿層； 通過原子層沉積工藝連續沉積形成第一二氧化鈦子層和第二二氧化鈦子層，以最終形成一個整體二氧化鈦層；所述第一二氧化鈦子層為非晶結構，所述第二二氧化鈦子層為晶態結構； 具體為，用原子層沉積工藝，以四氯化鈦作為鈦源前驅體，同時引入鎂乙酰丙酮和三甲基鋁作為摻雜劑驅體，通過共沉積工藝實現二氧化鈦基薄膜的鎂和鋁共摻雜，沉積溫度設定為100℃-200℃，在此溫度區間內，通過調控反應循環次數，形成非晶結構的第一二氧化鈦子層； 在同一反應腔內，繼續采用原子層沉積工藝，在四氯化鈦作為鈦源前驅體的基礎上，引入二甲基鋅和三甲基鎵作為共摻雜前驅體，通過交替脈沖前驅體實現鋅和鎵的同步摻雜，沉積溫度設定為100℃-200℃，在此溫度區間內，通過調控反應循環次數，形成晶態結構的第二二氧化鈦子層； 在所述二氧化鈦層上沉積形成含氫蓋層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州大學，其通訊地址為：215299 江蘇省蘇州市吳江區久泳西路1號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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