TCL華星光電技術有限公司陳煒鋒獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉TCL華星光電技術有限公司申請的專利驅動芯片、顯示裝置及驅動芯片的調試方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115831029B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202211680176.7,技術領域涉及:G09G3/20;該發明授權驅動芯片、顯示裝置及驅動芯片的調試方法是由陳煒鋒;藍慶生設計研發完成,并于2022-12-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本驅動芯片、顯示裝置及驅動芯片的調試方法在說明書摘要公布了:本發明公開驅動芯片、顯示裝置及驅動芯片的調試方法。驅動芯片通過使控制模塊根據實際電磁輻射的頻率、存儲模塊存儲的電磁輻射頻率與電磁輻射抑制參數之間的映射關系,向電磁輻射抑制模塊輸出控制信號,使電磁輻射抑制模塊提供具有實際電磁輻射抑制參數的器件改善實際電磁輻射。顯示裝置包括驅動芯片。驅動芯片的調試方法將驅動芯片依次設置在具有不同頻率的電磁輻射環境中,通過控制控制模塊依次發送多個控制信號至電磁輻射抑制模塊,使電磁輻射抑制模塊依次提供多個電磁輻射抑制參數,根據對電磁輻射的抑制效果,從多個電磁輻射抑制參數中確定第一電磁輻射抑制參數,并將第一電磁輻射抑制參數與電磁輻射頻率的映射關系存儲至存儲模塊。
本發明授權驅動芯片、顯示裝置及驅動芯片的調試方法在權利要求書中公布了:1.一種驅動芯片,其特征在于,包括: 存儲模塊,被配置為存儲電磁輻射頻率與電磁輻射抑制參數之間的映射關系; 控制模塊,被配置為根據實際電磁輻射的頻率和所述映射關系輸出控制信號;其中,所述控制信號包括第一控制信號和第二控制信號;在所述實際電磁輻射的所述頻率小于或等于第一電磁輻射閾值時,所述控制模塊被配置為輸出所述第一控制信號;在所述實際電磁輻射的所述頻率大于第二電磁輻射閾值時,所述控制模塊被配置為輸出所述第二控制信號;以及 電磁輻射抑制模塊,被配置為根據所述控制信號提供具有對應的電磁輻射抑制參數的器件以抑制所述實際電磁輻射;其中,所述電磁輻射抑制模塊包括低頻抑制單元和高頻抑制單元,所述低頻抑制單元被配置為根據所述第一控制信號抑制所述實際電磁輻射,所述高頻抑制單元被配置為根據所述第二控制信號抑制所述實際電磁輻射。
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