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龍圖騰網獲悉武漢銳晶激光芯片技術有限公司申請的專利一種分子束外延設備生長室組件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118180074B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211604480.3，技術領域涉及：B08B9/087；該發明授權一種分子束外延設備生長室組件是由徐馬記;王威;徐豪;胡韻爽;賀慧婷設計研發完成，并于2022-12-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種分子束外延設備生長室組件在說明書摘要公布了：本申請提供一種分子束外延設備生長室組件，包括腔體、襯底支架、源爐坩堝、第一擋板、襯板和第一蓋體組件；襯底支架連接有待鍍膜件；源爐坩堝朝向安裝于腔體；源爐坩堝用于向處于襯底支架的待鍍膜件鍍膜；第一擋板可轉動地連接于襯底支架；第一蓋體組件設置于腔體的底部；第一蓋體組件包括第一蓋體和第一清潔件，第一蓋體安裝于腔體的底部，并蓋合腔體的底部；第一清潔件可伸縮地連接于第一蓋體，并朝向第一擋板移動，以便于第一清潔件清潔處于第一擋板及襯底支架上的膜渣，并且保證處于第一擋板的膜渣的掉落至腔體底部，避免處于第一擋板的膜渣影響待鍍膜件的工作環境，并且脫離第一擋板的膜渣掉落至襯板，襯板承接脫離第一擋板的膜渣。

本發明授權一種分子束外延設備生長室組件在權利要求書中公布了：1.一種分子束外延設備生長室組件，其特征在于，包括： 腔體，設有圓錐部； 襯底支架，安裝于所述腔體，并容納于所述腔體內；所述襯底支架連接有待鍍膜件； 源爐坩堝，安裝于所述腔體，并朝向所述襯底支架；所述源爐坩堝用于向處于所述襯底支架的所述待鍍膜件鍍膜； 第一擋板，可轉動地連接于所述襯底支架，并遮蓋經鍍膜后的所述待鍍膜件； 多個襯板，環形鋪設于所述圓錐部，并相互貼合； 第一蓋體組件，設置于所述腔體的底部；所述第一蓋體組件包括第一蓋體和第一清潔件，所述第一蓋體安裝于所述腔體的底部，并蓋合所述腔體的底部；所述第一清潔件可伸縮地連接于所述第一蓋體，并朝向所述第一擋板移動，以清潔處于所述第一擋板的膜渣和處于所述待鍍膜件的膜渣，使得膜渣掉落至所述襯板； 所述第一清潔件相對于所述第一擋板布置，并沿豎直方向靠近所述第一擋板；所述第一清潔件的頂部設有軟體清潔部，所述軟體清潔部用于清潔處于所述第一擋板的膜渣； 所述第一蓋體設有第一通孔，所述第一通孔的外側設有第一磁塊，所述第一清潔件設有金屬桿，所述金屬桿和所述第一磁塊進行磁性作用，使得所述第一清潔件可伸縮地連接所述第一蓋體；所述金屬桿的一端與所述第一通孔球形活動連接； 第一清潔件可在120°范圍內自由旋轉，范圍能覆蓋襯板、襯底托和襯底擋板，利用自由伸縮和旋轉的功能清理襯板、襯底托和襯底擋板下表面沉積的源渣，使其掉落至底部法蘭口的收集槽上，保證腔體內氣體氛圍長期穩定，確保鍍膜工藝穩定性； 利用生長室底部的可伸縮清潔桿，在底部觀察窗的輔助下對樣品托位置進行微調，校準點位，保證設備運行穩定性； 襯板承接脫離第一擋板的膜渣和處于待鍍膜件的膜渣，并且相對于圓錐部可以進行更換。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人武漢銳晶激光芯片技術有限公司，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市東湖新技術開發區科技三路99號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。