華邦電子股份有限公司中谷真史獲國(guó)家專(zhuān)利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉華邦電子股份有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利溫度補(bǔ)償電路及使用其的半導(dǎo)體集成電路獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN115808950B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為:202210767750.6,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G05F1/567;該發(fā)明授權(quán)溫度補(bǔ)償電路及使用其的半導(dǎo)體集成電路是由中谷真史;平賀公久設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2022-07-01向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。
本溫度補(bǔ)償電路及使用其的半導(dǎo)體集成電路在說(shuō)明書(shū)摘要公布了:本發(fā)明提供一種生成經(jīng)溫度補(bǔ)償?shù)碾娏鞯臏囟妊a(bǔ)償電路及使用其的半導(dǎo)體集成電路。本發(fā)明的溫度補(bǔ)償電路包含:第一PTAT電流源,具有第一發(fā)射極面積比,生成第一電流,所述第一電流具有與絕對(duì)溫度成比例的第一溫度系數(shù);第二PTAT電流源,具有第二發(fā)射極面積比,生成第二電流,所述第二電流具有與絕對(duì)溫度成比例的第二溫度系數(shù);調(diào)整電路,調(diào)整由第一PTAT電流源生成的電流;以及差分電路,輸出由調(diào)整電路調(diào)整后的電流與由第二PTAT電流源生成的電流的差分。
本發(fā)明授權(quán)溫度補(bǔ)償電路及使用其的半導(dǎo)體集成電路在權(quán)利要求書(shū)中公布了:1.一種溫度補(bǔ)償電路,包含: 第一電路,使用第一發(fā)射極面積的晶體管或者與所述第一發(fā)射極面積比等價(jià)的個(gè)數(shù)比的二極管來(lái)生成第一電流,所述第一電流具有與絕對(duì)溫度成比例的第一溫度系數(shù); 第二電路,使用第二發(fā)射極面積的晶體管或者與所述第二發(fā)射極面積比等價(jià)的個(gè)數(shù)比的二極管來(lái)生成第二電流,所述第二電流具有與絕對(duì)溫度成比例的第二溫度系數(shù),其中所述第一電路的第一發(fā)射極面積比不同于所述第二電路的第二發(fā)射極面積比,所述第一電流與所述第一發(fā)射極面積比成比例,所述第二電流與所述第二發(fā)射極面積比成比例;以及 差分電路,輸出所述第一電流與所述第二電流的差分電流,其中所述差分電路包含: 第一晶體管,包含第一端、第二端及控制端,其中所述第一晶體管的所述第一端耦合到第一供給電壓,且所述第一晶體管的所述控制端耦合到所述第二電路; 第二晶體管,包含第一端、第二端及控制端,其中所述第二晶體管的所述第一端耦合到所述第一電路,所述第二晶體管的所述第二端耦合到第二供給電壓,且所述第二晶體管的所述控制端耦合到所述第二晶體管的所述第一端,其中所述第一供給電壓大于所述第二供給電壓;以及 第三晶體管,包含第一端、第二端及控制端,其中所述第三晶體管的所述第一端耦合到所述第一晶體管的所述第二端,所述第三晶體管的所述第二端耦合到所述第二供給電壓,且所述第三晶體管的所述控制端耦合到所述第二晶體管的所述控制端,其中所述差分電流從所述第三晶體管的所述第一端輸出。
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