環球晶圓股份有限公司林子堯獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉環球晶圓股份有限公司申請的專利半導體外延結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116072523B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210597413.7，技術領域涉及：H01L21/18；該發明授權半導體外延結構是由林子堯;劉嘉哲;施英汝設計研發完成，并于2022-05-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體外延結構在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體外延結構，包括碳化硅基板、成核層、氮化鎵緩沖層與堆疊結構。成核層形成于所述碳化硅基板上，氮化鎵緩沖層設置于所述成核層上，堆疊結構則形成于所述成核層與所述氮化鎵緩沖層之間。所述堆疊結構包括：交替堆疊的多層氮化硅SiNx層與多層氮化鋁鎵AlxGa1?xN層，其中所述多層氮化硅層中的第一層與所述成核層直接接觸。
本發明授權半導體外延結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體外延結構，其特征在于，包括： 碳化硅基板，所述碳化硅基板的基平面位錯密度在3000cm-2～6000cm-2之間； 成核層，形成于所述碳化硅基板上； 氮化鎵緩沖層，設置于所述成核層上；以及 堆疊結構，形成于所述成核層與所述氮化鎵緩沖層之間，所述堆疊結構包括： 多層氮化硅層，其中所述多層氮化硅層中的第一層與所述成核層直接接觸；以及 多層氮化鋁鎵層，與所述多層氮化硅層交替堆疊。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人環球晶圓股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市科學工業園區工業東二路8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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