江蘇第三代半導體研究院有限公司韓娜獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉江蘇第三代半導體研究院有限公司申請的專利深紫外LED外延片、制備方法及半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114566578B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210326620.9，技術領域涉及：H10H20/812；該發明授權深紫外LED外延片、制備方法及半導體器件是由韓娜;王國斌設計研發完成，并于2022-03-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本深紫外LED外延片、制備方法及半導體器件在說明書摘要公布了：本發明公開了一種深紫外LED外延片，包括在襯底上依次生長的氮化物緩沖層、氮化物過渡層、n型氮化物層、量子阱有源層、電子阻擋層、接觸層；其中，電子阻擋層為BAlN阻擋層；量子阱有源層包括多個交替生長的AlGaN量子阱層AlGaN量子壘層，及最后一層量子阱結構為AlGaNBAlN。本發明利用BAIN阻擋層取代常規的p型AlGaN電子阻擋層，可以減小與量子阱的界面缺陷，規避高Al組分AlGaNEBL的p型摻雜問題。同時，為了進一步提升最后一個量子阱的波函數重疊率，在最后一層量子阱采用AlGaNBAlN，提高了最后一層量子阱的波函數重疊率，量子阱有源區中的電子空穴波函數疊加，提高了深紫外LED量子阱區域的輻射復合效率，進而提高了深紫外LED的功率和效率。
本發明授權深紫外LED外延片、制備方法及半導體器件在權利要求書中公布了：1.深紫外LED外延片，其特征在于，包括在襯底上依次生長的氮化物緩沖層、氮化物過渡層、n型氮化物層、量子阱有源層、電子阻擋層、接觸層； 其中，所述電子阻擋層為BAlN阻擋層；所述量子阱有源層包括多個交替生長的AlGaN量子阱層AlGaN量子壘層，及最后一層量子阱結構為AlGaNBAlN；所述BAlN阻擋層包括無摻雜的BAlN，所述最后一層量子阱結構的波函數重疊率為35.73％。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江蘇第三代半導體研究院有限公司，其通訊地址為：215101 江蘇省蘇州市工業園區金雞湖大道99號蘇州納米城中北區23幢214室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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