上海華虹宏力半導體制造有限公司劉沖獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉上海華虹宏力半導體制造有限公司申請的專利一種垂直MOS晶體管的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114551244B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210239392.1，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權一種垂直MOS晶體管的制備方法是由劉沖;鄒永金;陳宏設計研發完成，并于2022-03-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種垂直MOS晶體管的制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種垂直MOS晶體管的制備方法，包括以下步驟：步驟S22：在溝槽的側壁上形成側墻，并以側墻為掩模對溝槽的底壁進行離子注入；步驟S23：在溝槽的底壁形成第一絕緣膜層，并去除所述側墻；步驟S24：在溝槽的內壁上形成第二絕緣膜層。本發明通過增加步驟S22和步驟S23，來增加溝槽底壁上的絕緣層的厚度，也就是增加了第一絕緣膜層的厚度，還提高垂直MOS晶體管的擊穿電壓，以避免在溝槽的底角處發生介電層擊穿，還可以降低垂直MOS晶體管的寄生電容，從而提高了器件的響應速度。
本發明授權一種垂直MOS晶體管的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種垂直MOS晶體管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 步驟S21：提供一半導體襯底，所述半導體襯底中形成有溝槽，所述溝槽具有圓角輪廓； 步驟S22：在所述溝槽的側壁上形成側墻，并以所述側墻為掩模對所述溝槽的底壁進行離子注入，以疏松所述溝槽暴露出來的部分； 步驟S23：在所述溝槽的底壁形成第一絕緣膜層，并去除所述側墻； 步驟S24：在所述溝槽的內壁上形成第二絕緣膜層； 其中，所述溝槽底部的絕緣層總厚度為所述第一絕緣膜層和第二絕緣膜層厚度之和。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華虹宏力半導體制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國（上海）自由貿易試驗區祖沖之路1399號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號