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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海集成電路研發(fā)中心有限公司申請的專利金屬連線結(jié)構(gòu)的制備方法及半導體器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116314008B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111486630.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權(quán)金屬連線結(jié)構(gòu)的制備方法及半導體器件是由程繼設計研發(fā)完成，并于2021-12-07向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本金屬連線結(jié)構(gòu)的制備方法及半導體器件在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種金屬連線結(jié)構(gòu)的制備方法，包括在通孔結(jié)構(gòu)內(nèi)填充金屬鎢以形成不低于所述通孔層的上表面的初始鎢互連線結(jié)構(gòu)；去除部分所述通孔層的介質(zhì)材料，使形成的第二介質(zhì)層的上表面低于所述初始鎢互連線結(jié)構(gòu)的上表面；沉積粘結(jié)層，使所述粘結(jié)層包覆外露于所述第二介質(zhì)層的所述初始鎢互連線結(jié)構(gòu)；沉積形成鎢犧牲層；進行化學機械平坦化處理，直至露出位于所述第二介質(zhì)層的上表面的所述粘結(jié)層；去除所述粘結(jié)層直至露出第二介質(zhì)層，以形成鎢互連線結(jié)構(gòu)。避免了研磨液滲入腐蝕零層鈷互連線結(jié)構(gòu)，解決了金屬連線結(jié)構(gòu)中鈷缺失的問題，而且制得的金屬連線結(jié)構(gòu)中無需設置粘結(jié)層，大大降低了接觸電阻。本發(fā)明還提供了一種半導體器件。

本發(fā)明授權(quán)金屬連線結(jié)構(gòu)的制備方法及半導體器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種金屬連線結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： S1：提供具有零層鈷互連線結(jié)構(gòu)的第一介質(zhì)層； S2：在所述第一介質(zhì)層的上表面形成圖形化后的通孔層，且使所述通孔層中的通孔結(jié)構(gòu)貫穿所述通孔層至所述零層鈷互連線結(jié)構(gòu)的表面； S3：在所述通孔結(jié)構(gòu)內(nèi)填充金屬鎢，以形成初始鎢互連線結(jié)構(gòu)，且使所述初始鎢互連線結(jié)構(gòu)的上表面不低于所述通孔層的上表面； S4：去除部分所述通孔層的介質(zhì)材料，以形成第二介質(zhì)層，且使所述第二介質(zhì)層的上表面低于所述初始鎢互連線結(jié)構(gòu)的上表面； S5：在所述第二介質(zhì)層的上表面和所述初始鎢互連線結(jié)構(gòu)的上表面沉積粘結(jié)層，且使所述粘結(jié)層包覆外露于所述第二介質(zhì)層的所述初始鎢互連線結(jié)構(gòu)； S6：在所述粘結(jié)層的上表面沉積金屬鎢，以形成鎢犧牲層； S7：采用化學機械平坦化工藝去除所述鎢犧牲層、部分所述粘結(jié)層和部分所述初始鎢互連線結(jié)構(gòu)，直至露出位于所述第二介質(zhì)層的上表面的所述粘結(jié)層； S8：去除所述第二介質(zhì)層的上表面的所述粘結(jié)層，直至露出所述第二介質(zhì)層，以形成鎢互連線結(jié)構(gòu)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人上海集成電路研發(fā)中心有限公司，其通訊地址為：201210 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)高斯路497號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。