琳得科株式會社垣內(nèi)康彥獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉琳得科株式會社申請的專利粘合片及半導體裝置的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116171220B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202180062506.3，技術領域涉及：C09J7/38；該發(fā)明授權(quán)粘合片及半導體裝置的制造方法是由垣內(nèi)康彥;渡邊康貴設計研發(fā)完成，并于2021-09-10向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本粘合片及半導體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供粘合片及使用該粘合片的半導體裝置的制造方法，所述粘合片具有包含粘合劑層X1和基材層Y的層疊結(jié)構(gòu)，所述粘合劑層X1及所述基材層Y中的至少任一層是含有熱膨脹性粒子的熱膨脹性層，所述粘合劑層X1的面SX1的算術平均波紋度Wa為0.090μm以下，所述面SX1是與所述基材層Y相對的面的相反側(cè)的一面。
本發(fā)明授權(quán)粘合片及半導體裝置的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種粘合片，其具有包含粘合劑層X1和基材層Y的層疊結(jié)構(gòu)， 所述粘合劑層X1及所述基材層Y中的至少任一層是含有熱膨脹性粒子的熱膨脹性層， 所述粘合劑層X1的面SX1的算術平均波紋度Wa為0.090μm以下，所述面SX1是與所述基材層Y相對的面的相反側(cè)的一面， 所述算術平均波紋度Wa是在截止值為100μm、振動傳遞率為50％的條件下基于JISB0601:2013而測定的。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人琳得科株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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