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龍圖騰網(wǎng)獲悉中科鎵(深圳)半導體科技有限公司;中國科學院半導體研究所申請的專利一種用于制備氮化鎵單晶厚膜材料的襯底托盤獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120250149B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510737040.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C30B25/12；該發(fā)明授權(quán)一種用于制備氮化鎵單晶厚膜材料的襯底托盤是由楊少延;楊瑞;李成明;陳慶慶;劉祥林;王奕程;張文冠;胡阿龍設計研發(fā)完成，并于2025-06-04向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種用于制備氮化鎵單晶厚膜材料的襯底托盤在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導體制備生產(chǎn)設備部件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于制備氮化鎵單晶厚膜材料的襯底托盤，包括：石墨托盤，頂部開設有用于放置襯底片的容納槽、側(cè)壁開設有定位孔、底部設有石墨基座；筒形氮化硅陶瓷保護罩，套設于石墨托盤上，頂部開設有沉積窗口，沉積窗口與容納槽同軸設置，且沉積窗口的內(nèi)徑小于等于襯底片的外徑，筒形側(cè)壁開設有安裝孔，通過柔性連接件將氮化硅陶瓷保護罩的筒形側(cè)壁與石墨托盤側(cè)壁非硬性連接緊固；氮化鎵單晶厚膜材料沉積在襯底片上，且位于沉積窗口內(nèi)。本發(fā)明提供的襯底托盤，便于將氮化鎵單晶厚膜材料及襯底片從石墨托盤上取下，提高了氮化鎵單晶材料成品率，延長了石墨托盤的使用壽命，降低了耗材成本。

本發(fā)明授權(quán)一種用于制備氮化鎵單晶厚膜材料的襯底托盤在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于制備氮化鎵單晶厚膜材料的襯底托盤，其特征在于，包括： 石墨托盤，頂部開設有用于放置襯底片的容納槽，側(cè)壁開設有定位孔，底部開設有能夠安裝到氫化物氣相外延反應腔室內(nèi)襯底旋轉(zhuǎn)基座的石墨底座； 筒形氮化硅陶瓷保護罩，套設于所述石墨托盤上，所述筒形氮化硅陶瓷保護罩頂部開設有沉積窗口，沉積窗口與所述石墨托盤的容納槽同軸設置，且沉積窗口的內(nèi)徑小于或等于所述襯底片的外徑，所述筒形氮化硅陶瓷保護罩的筒形側(cè)壁開設有安裝孔，通過柔性連接件將所述筒形氮化硅陶瓷保護罩的筒形側(cè)壁與石墨托盤側(cè)壁連接； 氮化鎵單晶厚膜材料沉積在所述襯底片上，且位于所述沉積窗口內(nèi)； 氮化硅陶瓷的熱膨脹系數(shù)為2.53-2.75×10-6K，氮化鎵單晶厚膜材料的C面內(nèi)熱膨脹系數(shù)為4.26-5.31×10-6K。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中科鎵(深圳)半導體科技有限公司;中國科學院半導體研究所，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市龍崗區(qū)平湖街道平湖社區(qū)湖田路16號8棟廠房103；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。