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龍圖騰網(wǎng)獲悉之江實驗室申請的專利一種集成式的布里淵窄線寬激光器及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120262164B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510734854.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01S5/10；該發(fā)明授權(quán)一種集成式的布里淵窄線寬激光器及其制備方法是由顧佳新;李晨暉;胡勇設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-06-04向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種集成式的布里淵窄線寬激光器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種集成式的布里淵窄線寬激光器及其制備方法，屬于集成光子學(xué)領(lǐng)域。本發(fā)明的集成式的布里淵窄線寬激光器由雙層氮化硅微環(huán)組成，雙層之間是氧化硅間隔層，雙層氮化硅微環(huán)的自由光譜程設(shè)計為布里淵頻移量，微環(huán)旁設(shè)計有耦合波導(dǎo)。本發(fā)明還提供相應(yīng)的制備方法，包括：在襯底上依次沉積第一氮化硅層、第一氧化硅層、第二氮化硅層、第二氧化硅層，刻蝕圖案，最后沉積氧化硅，作為保護層。本發(fā)明通過雙層氮化硅微環(huán)的約束，將TM模式集中分布于兩層氮化硅之間的氧化硅中，克服了氮化硅材料布里淵增益弱的缺點，縮小了模式體積，降低了布里淵閾值，實現(xiàn)布里淵窄線寬激光器的高效率輸出。

本發(fā)明授權(quán)一種集成式的布里淵窄線寬激光器及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種集成式的布里淵窄線寬激光器，其特征在于，包括： 泵浦源，用于提供泵浦光； 襯底； 襯底之上的包層； 嵌入在所述包層中的雙層直波導(dǎo)和雙層微環(huán)，雙層直波導(dǎo)用于將泵浦光耦合至雙層微環(huán)和輸出產(chǎn)生的激光，上層直波導(dǎo)和上層微環(huán)、下層直波導(dǎo)和下層微環(huán)分別處于同一高度，均采用折射率高于所述包層的材料； 其中，設(shè)置每層微環(huán)的厚度為100-1000nm，雙層微環(huán)之間的間隔為10-150nm，以實現(xiàn)TM模式在雙層微環(huán)之間的間隔中的強約束。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人之江實驗室，其通訊地址為：311121 浙江省杭州市余杭區(qū)中泰街道科創(chuàng)大道之江實驗室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。