江蘇捷捷微電子股份有限公司梁玉清獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉江蘇捷捷微電子股份有限公司申請的專利檢測可控硅通態電流臨界上升率的測試裝置及測試方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120195527B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510679455.9,技術領域涉及:G01R31/26;該發明授權檢測可控硅通態電流臨界上升率的測試裝置及測試方法是由梁玉清;張正榮;顏呈祥設計研發完成,并于2025-05-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本檢測可控硅通態電流臨界上升率的測試裝置及測試方法在說明書摘要公布了:本發明公開了檢測可控硅通態電流臨界上升率的測試裝置及測試方法,涉及可控硅測試領域,該測試裝置包括:整流控制切換單元,用于將正弦交流電整流為半波直流電后,控制驅動信號的延遲時間,并根據控制結果為被測可控硅提供信號,切換被測可控硅的工作象限;被測可控硅,用于為整流控制切換單元與通斷控制切換單元提供測試基礎的器件;通斷控制切換單元,用于調節負載大小控制回路電流與通斷,并結合電容的大小沖擊被測可控硅,切換被測可控硅的工作象限。本發明提出的測試裝置,觸發電路結構簡單,實現成本較低,可測試單向可控硅、雙向可控硅的四個象限,同時使用整流芯片實現交直流轉換,降低了測試過程中的應用成本。
本發明授權檢測可控硅通態電流臨界上升率的測試裝置及測試方法在權利要求書中公布了:1.檢測可控硅通態電流臨界上升率的測試裝置,其特征在于,該測試裝置包括:整流控制切換單元、被測可控硅及通斷控制切換單元,且所述整流控制切換單元、所述被測可控硅及所述通斷控制切換單元之間依次連接; 所述整流控制切換單元,用于將正弦交流電整流為半波直流電后,控制驅動信號的延遲時間,并根據控制結果為所述被測可控硅提供信號,切換所述被測可控硅的工作象限; 所述被測可控硅,用于為所述整流控制切換單元與所述通斷控制切換單元提供測試基礎的器件; 所述通斷控制切換單元,用于調節負載大小控制回路電流與通斷,并結合電容的大小沖擊所述被測可控硅,切換所述被測可控硅的工作象限; 所述整流控制切換單元包括: 整流模塊,用于將正弦交流電整流為半波直流電; 控制模塊,用于控制驅動信號的延時時間; 切換模塊,用于切換所述被測可控硅的工作象限; 驅動模塊,用于為所述被測可控硅提供驅動信號。
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