買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉意誠新能(蘇州)科技有限公司申請的專利一種薄膜太陽電池組件互聯(lián)結(jié)構(gòu)及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120076464B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510563137.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F71/00；該發(fā)明授權(quán)一種薄膜太陽電池組件互聯(lián)結(jié)構(gòu)及其制備方法是由田晶;范維濤;張鑫設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-04-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種薄膜太陽電池組件互聯(lián)結(jié)構(gòu)及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及薄膜太陽電池組件互聯(lián)結(jié)構(gòu)及其制備方法，其包括步驟：1）選擇基底沉積第一電極層；2）形成P1劃線；3）沉積器件功能層；4）形成P2劃線；5）沉積第二電極層；6）形成P3劃線。本發(fā)明一方面基于減少死區(qū)的寬幅前提下，不僅使得P3劃線所對應(yīng)的器件功能層的光生載流子在漂移作用下具有一定概率可以得到收集，進(jìn)而提高組件光電轉(zhuǎn)換性能，而且器件功能層能夠形成吸收，避免相鄰子電池間的導(dǎo)電通道斷裂，降低串聯(lián)電阻；另一方面基于所形成的劃槽，且劃槽與凹槽之間貫通或由第二電極層隔開，不僅避免刻劃邊緣翹起，造成火山口，同時(shí)還須控制器件層的損傷，消除死區(qū)附近晶格缺陷，以提高開路電壓和填充因子。

本發(fā)明授權(quán)一種薄膜太陽電池組件互聯(lián)結(jié)構(gòu)及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種薄膜太陽電池組件互聯(lián)結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，其包括如下步驟： 1）選擇基底，并在基底上沉積形成第一電極層； 2）在第一電極層上刻劃形成P1劃線，且刻劃的深度為第一電極層的厚度； 3）在第一電極層和基底上依次沉積PN型功能層、本征吸收層、NP型功能層，其中PN型功能層將刻劃區(qū)填平，且PN型功能層的表面為平面； 4）以P1劃線為平行基準(zhǔn)，在靠近P1劃線處形成自PN型功能層向第一電極層凹陷的P2劃線，且刻劃的深度為NP型功能層、本征吸收層、PN型功能層三者厚度之和； 5）沉積第二電極層，其中第二電極層部分形成在NP型功能層上，部分形成在P2劃線的槽內(nèi)NP型功能層、本征吸收層、PN型功能層對應(yīng)的槽壁，剩余部分形成在第一電極層上，且位于P2劃線內(nèi)的第二電極層形成凹槽，其中P1劃線和P2劃線之間的距離小于P2劃線的寬度，P1劃線的寬度小于或等于P2劃線的寬度；凹槽的槽底厚度小于PN型功能層的厚度； 6）以P2劃線為平行基準(zhǔn)，在靠近P2劃線處自第二電極層向NP型功能層刻劃形成P3劃線，且P3劃線的深度為第二電極層的厚度，其中P1劃線的寬度、P2劃線的寬度及P1劃線和P2劃線之間的間隔寬度三者之和等于死區(qū)寬度；使用機(jī)械刻劃P3劃線，且P3劃線形成劃槽，劃槽與凹槽之間貫通，P3劃線的側(cè)邊位于死區(qū)內(nèi)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人意誠新能(蘇州)科技有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)榭雨街435號3幢201室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。