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龍圖騰網獲悉中山市光圣半導體科技有限公司申請的專利晶圓缺陷檢測的UV光源精確調控方法及相關設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119946949B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510425621.2，技術領域涉及：H05B47/105；該發明授權晶圓缺陷檢測的UV光源精確調控方法及相關設備是由夏正浩;張康;林威;羅明浩設計研發完成，并于2025-04-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本晶圓缺陷檢測的UV光源精確調控方法及相關設備在說明書摘要公布了：本申請涉及光源調控技術領域，公開了晶圓缺陷檢測的UV光源精確調控方法及相關設備，該方法包括：確定晶圓缺陷檢測的初始檢測參數；根據初始檢測參數獲取目標晶圓的晶圓表面圖像；識別晶圓表面圖像的缺陷信息；根據缺陷信息評估初始檢測參數的檢測效果值；若檢測效果值低于預設檢測閾值，則根據缺陷信息生成UV光源調控策略。通過本申請方案的實施，通過獲取初始檢測參數并評估檢測效果值,建立了一個閉環反饋機制，及時發現檢測效果不理想的情況，并據此調整UV光源參數，確保缺陷檢測始終保持在最佳狀態，提高晶圓缺陷檢測的準確性。

本發明授權晶圓缺陷檢測的UV光源精確調控方法及相關設備在權利要求書中公布了：1.一種晶圓缺陷檢測的UV光源精確調控方法，其特征在于，包括： 確定晶圓缺陷檢測的初始檢測參數； 根據所述初始檢測參數獲取目標晶圓的晶圓表面圖像； 識別所述晶圓表面圖像的缺陷信息； 根據所述缺陷信息評估所述初始檢測參數的檢測效果值； 所述根據所述缺陷信息評估所述初始檢測參數的檢測效果值的步驟，包括： 根據所述缺陷信息生成缺陷統計報告； 根據所述缺陷統計報告確定所述晶圓缺陷檢測的檢出率、誤檢率以及漏檢率； 通過將所述誤檢率以及所述漏檢率轉換為懲罰因子對所述檢出率進行指數懲罰，確定所述檢測效果值； 若檢測效果值低于預設閾值，則根據映射模型預測的最優參數對UV光源進行調整，直至所述檢測效果值達到預設檢測閾值； 基于Jonscher通用冪律模型確定所述目標晶圓在UV光源照射下的介電響應特性；其中，Jonscher通用冪律模型通過如下公式表示： ， 其中，為介電損耗，為低頻介電常數，為高頻介電常數，它們分別反映了材料在靜態電場和迅速變化電場中的介電特性，為UV光源的激發頻率，激發頻率決定了系統響應的頻率范圍，為弛豫時間常數，介電弛豫過程的時間尺度，n為冪指數，描述了介電損耗隨頻率變化的速率，j為虛數單位； 在存在缺陷的區域測量介電響應數據，將介電響應數據代入Dissado-Hill模型；基于Dissado-Hill模型分析所述介電響應特性與缺陷類型之間的關聯關系；Dissado-Hill模型通過如下公式進行表示： ， 其中，為復介電常數，描述材料的整體介電響應，為介電弛豫強度，反映極化程度，為特征弛豫時間，表征極化過程的時間尺度，a為短程序參數，描述局部結構單元內部的關聯性，b為長程序參數，描述不同結構單元之間的關聯性，通過對比無缺陷區域和存在不同類型缺陷區域的介電響應差異，建立缺陷特征與介電響應參數之間的關聯關系； 根據所述關聯關系建立晶圓缺陷特征與UV光源參數的映射模型；將缺陷類型、尺寸、深度作為輸入變量，UV光源的波長、強度、照射角度作為輸出變量，通過神經網絡訓練得到最優參數映射模型。

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