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龍圖騰網(wǎng)獲悉青島海存微電子有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119654054B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510168277.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N50/10；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)及其形成方法是由李淑慧;張明超;劉宏喜;王戈飛設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-02-17向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)及其形成方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，用于提高半導(dǎo)體存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)性能。該結(jié)構(gòu)包括：自旋軌道矩層，以及設(shè)置在自旋軌道矩層上的存儲(chǔ)磁隧道結(jié)、虛設(shè)磁隧道結(jié)和介質(zhì)層；虛設(shè)磁隧道結(jié)位于存儲(chǔ)磁隧道結(jié)的旁側(cè)；介質(zhì)層至少填滿存儲(chǔ)磁隧道結(jié)和虛設(shè)磁隧道結(jié)之間的空隙；自旋軌道矩層以存儲(chǔ)磁隧道結(jié)、虛設(shè)磁隧道結(jié)和介質(zhì)層為掩模刻蝕形成。本申請(qǐng)?zhí)峁┑陌雽?dǎo)體存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)及其形成方法無需為自旋軌道矩層設(shè)置光罩，能夠簡(jiǎn)化形成過程，同時(shí)還可以避免存儲(chǔ)磁隧道結(jié)和自旋軌道矩層產(chǎn)生套刻偏移，保證存儲(chǔ)磁隧道結(jié)和自旋軌道矩層對(duì)準(zhǔn)，從而提高寫入電流效率，以提高半導(dǎo)體存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的性能。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：自旋軌道矩層，以及設(shè)置在所述自旋軌道矩層上的存儲(chǔ)磁隧道結(jié)、虛設(shè)磁隧道結(jié)和介質(zhì)層； 所述虛設(shè)磁隧道結(jié)位于所述存儲(chǔ)磁隧道結(jié)的旁側(cè)； 所述介質(zhì)層至少填滿所述存儲(chǔ)磁隧道結(jié)和所述虛設(shè)磁隧道結(jié)之間的空隙； 所述自旋軌道矩層以所述存儲(chǔ)磁隧道結(jié)、所述虛設(shè)磁隧道結(jié)和所述介質(zhì)層為掩模刻蝕形成。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人青島海存微電子有限公司，其通訊地址為：266000 山東省青島市黃島區(qū)映山紅路117號(hào)1棟1605室(原黃島區(qū)科教二路117號(hào)1棟研發(fā)中心辦公室)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。