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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國科學院精密測量科學與技術創(chuàng)新研究院申請的專利一種應用于離子熒光波長測量的高精度校刻裝置及方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN119555655B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202510100415.4，技術領域涉及：G01N21/64；該發(fā)明授權一種應用于離子熒光波長測量的高精度校刻裝置及方法是由管樺;陳邵龍;周志強;張國盛;黃垚;高克林設計研發(fā)完成，并于2025-01-22向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種應用于離子熒光波長測量的高精度校刻裝置及方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種應用于離子熒光波長測量的高精度校刻裝置，通過透鏡組使離子成像到濾光狹縫，并通過反射鏡和漫散射片使校刻燈出射光經(jīng)過漫散射到衍射狹縫，從而與離子熒光發(fā)射區(qū)域等效重合；本發(fā)明還公開一種應用于離子熒光波長測量的高精度校刻方法，利用惰性氣體離子已知波長優(yōu)化校刻燈出射光譜線的選擇，利用優(yōu)化選擇的校刻燈出射光譜線校刻待測離子熒光波長，并同步以惰性氣體的譜線來輔助校刻，實現(xiàn)待測離子熒光波長的高精度校刻。本發(fā)明有效解決由于校刻燈出射光譜線不準確或選擇不合適導致待測離子光譜測量精度差或測量錯誤，并有效避免校刻光無法與離子發(fā)出熒光完全重合帶來的校刻誤差，最終大幅度提升光譜測量的精度和準確性。

本發(fā)明授權一種應用于離子熒光波長測量的高精度校刻裝置及方法在權利要求書中公布了：1.一種應用于離子熒光波長測量的高精度校刻方法，其特征在于，包括以下步驟： 步驟1、搭建一種應用于離子熒光波長測量的高精度校刻裝置； 步驟2、離子阱（2）中注入惰性氣體離子，利用EMCCD相機（11）分別采集惰性氣體離子熒光光譜的圖片以及校刻燈出射光光譜的圖片；基于惰性氣體離子熒光光譜的圖片獲取每條惰性氣體離子熒光譜線的位置坐標；基于校刻燈出射光光譜的圖片獲取每條校刻燈出射光譜線的位置坐標以及對應的校刻燈出射光譜線波長； 步驟3、依據(jù)設定的校刻燈輔助校刻譜線數(shù)目，選取多條校刻燈出射光譜線作為校刻燈輔助校刻譜線； 校刻燈輔助校刻譜線滿足：將校刻燈輔助校刻譜線的位置坐標以及對應的校刻燈出射光譜線波長組成的數(shù)據(jù)對進行二維的多項式擬合得到校刻多項式，惰性氣體離子熒光譜線的位置坐標輸入校刻多項式獲得惰性氣體離子熒光譜線對應的擬合惰性氣體離子熒光波長，所有惰性氣體離子熒光譜線中有設定比例的惰性氣體離子熒光譜線對應的擬合惰性氣體離子熒光波長與NIST數(shù)據(jù)庫中惰性氣體離子熒光波長推薦值符合； 將擬合惰性氣體離子熒光波長與NIST數(shù)據(jù)庫中惰性氣體離子熒光波長推薦值符合的惰性氣體離子熒光譜線作為惰性氣體離子輔助校刻熒光譜線； 步驟4、將離子阱（2）中的惰性氣體離子換成待測離子，EMCCD相機（11）采集待測離子熒光光譜的圖片，利用步驟3中校刻燈輔助校刻譜線或利用校刻燈輔助校刻譜線與惰性氣體離子輔助校刻熒光譜線，獲得待測離子熒光光譜中各條待測離子熒光譜線對應的待測離子熒光波長測量值。

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