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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海芯高峰微電子有限公司申請的專利一種驗證方法、電子設(shè)備和計算機可讀存儲介質(zhì)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116402015B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310232331.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F30/398；該發(fā)明授權(quán)一種驗證方法、電子設(shè)備和計算機可讀存儲介質(zhì)是由楊溢;王貽源設(shè)計研發(fā)完成，并于2023-03-10向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種驗證方法、電子設(shè)備和計算機可讀存儲介質(zhì)在說明書摘要公布了：本公開實施例提供一種驗證方法、電子設(shè)備和計算機可讀存儲介質(zhì)。該驗證方法用于對半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)內(nèi)的第一非器件層和第二非器件層進行版圖和原理圖的一致性LVS驗證；半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一非器件層、第二非器件層和第一連接層；上述驗證方法包括：根據(jù)第一非器件層、第二非器件層和第一連接層的版圖，得到合并版圖；將合并版圖內(nèi)的第一連接層設(shè)定為電容器；根據(jù)第一非器件層、第二非器件層和第一連接層的電路網(wǎng)表，得到電路網(wǎng)表；根據(jù)電路網(wǎng)表內(nèi)的第一非器件層和第二非器件層之間的連接關(guān)系，將第一非器件層和第二非器件層之間的第一連接層設(shè)定為電容器；根據(jù)電容器的版圖和電路網(wǎng)表，確定第一非器件層和第二非器件層是否通過LVS驗證。

本發(fā)明授權(quán)一種驗證方法、電子設(shè)備和計算機可讀存儲介質(zhì)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種驗證方法，其特征在于，所述驗證方法用于對半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)內(nèi)的第一非器件層和第二非器件層進行版圖和原理圖的一致性LVS驗證；所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括所述第一非器件層、所述第二非器件層和電連接所述第一非器件層和所述第二非器件層的第一連接層，所述第一連接層包括：微凸點；所述驗證方法包括： 根據(jù)所述第一非器件層、所述第二非器件層和所述第一連接層的版圖，得到合并版圖，包括：根據(jù)所述第一非器件層和所述第二非器件層的版圖以及所述微凸點的文本標(biāo)簽，對所述第一非器件層和或所述第二非器件層的版圖的坐標(biāo)參數(shù)進行轉(zhuǎn)換，使得所述第一非器件層和所述第二非器件層的版圖的坐標(biāo)參數(shù)對應(yīng)的坐標(biāo)系相同；根據(jù)轉(zhuǎn)換后的所述第一非器件層和所述第二非器件層的版圖的坐標(biāo)參數(shù)，對所述第一非器件層和所述第二非器件層的版圖進行合并，得到合并版圖； 將所述合并版圖內(nèi)的所述第一連接層設(shè)定為電容器； 根據(jù)所述第一非器件層、所述第二非器件層和所述第一連接層的電路網(wǎng)表，得到電路網(wǎng)表； 根據(jù)所述電路網(wǎng)表內(nèi)的所述第一非器件層和所述第二非器件層之間的連接關(guān)系，將所述第一非器件層和所述第二非器件層之間的所述第一連接層設(shè)定為電容器； 根據(jù)所述電容器的版圖和電路網(wǎng)表，確定所述第一非器件層和所述第二非器件層是否通過LVS驗證。

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