北京大學魏賢龍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉北京大學申請的專利一種新型片上微型真空傳感器及其制造方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115979504B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202310008831.2,技術領域涉及:G01L21/00;該發明授權一種新型片上微型真空傳感器及其制造方法是由魏賢龍;詹芳媛設計研發完成,并于2023-01-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種新型片上微型真空傳感器及其制造方法在說明書摘要公布了:本申請公開了一種新型片上微型真空傳感器及其制造方法,其包括襯底,位于所述襯底表面的由氧化物或氮化物構成的絕緣材料層,部分或全部位于所述絕緣材料層上面的電極對,所述絕緣材料層經施加電壓軟擊穿后內部或表面形成電子隧穿結,電極對與電子隧穿結中的導電區域接觸。此片上微型真空傳感器的工作原理是,電極對用于驅動電子隧穿結中產生傳導電流,在驅動電壓作用下,電子隧穿結的寬度隨氣壓而動態變化,通過隧穿結的傳導電流隨氣壓增大而衰減,因此可以通過讀取不同壓強下隧穿結的電阻值來測量壓強大小。此片上微型真空傳感器壓強測量范圍為0.1~104Pa,具有寬量程,結構簡單,易加工等優點,可實現小空間壓強探測。
本發明授權一種新型片上微型真空傳感器及其制造方法在權利要求書中公布了:1.一種片上微型真空傳感器,其特征在于,包括: 襯底; 位于所述襯底表面的由氧化物或氮化物構成的絕緣材料層,所述絕緣材料層經施加電壓軟擊穿后可由絕緣態變成導電態; 部分或全部位于所述絕緣材料層上面的電極對,所述電極對的間隙內具有所述絕緣材料層,且被軟擊穿變成導電態;所述絕緣材料層經所述電極對施加電壓軟擊穿后內部或表面形成電子隧穿結; 所述電極對用于驅動所述電子隧穿結中產生傳導電流,通過讀取不同壓強下所述電子隧穿結的電阻值測量壓強大小。
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