清華大學田陽獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉清華大學申請的專利一種多電極高純鍺探測器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114975676B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210776522.5，技術領域涉及：H10F30/29；該發明授權一種多電極高純鍺探測器是由田陽;李玉蘭;曾志;李元景設計研發完成，并于2022-06-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種多電極高純鍺探測器在說明書摘要公布了：本公開提供了一種多電極高純鍺探測器，包括：平面型高純鍺晶體，其具有本征層裸露表面；鋰擴散電極層，其通過在平面型高純鍺晶體的一端面及與該端面相連的部分側面擴散鋰離子形成，用于實現平面型高純鍺晶體與晶體機械固定件之間的穩定連接；非晶阻擋層，其位于平面型高純鍺晶體的另一端面上；保護環，位于非晶阻擋層上；多個獨立電極，分別間隔設置且位于保護環內。本公開提供的多電極高純鍺探測器，通過使用非晶鍍層和鋰擴散層兩種工藝，在保證低漏電流、高能量分辨的同時，也簡化電極制作，提高了成品率，減小死區范圍，降低了裝配維護難度，提高了探測器的可靠性。
本發明授權一種多電極高純鍺探測器在權利要求書中公布了：1.一種多電極高純鍺探測器，其特征在于，包括： 平面型高純鍺晶體，其具有本征層裸露表面，所述本征層裸露表面為所述平面型高純鍺晶體側面中除去鋰擴散電極層側面的部分，其用于隔離鋰擴散電極層及非晶阻擋層； 鋰擴散電極層，其通過在所述平面型高純鍺晶體的一端面及與該端面相連的部分側面擴散鋰離子形成，用于實現所述平面型高純鍺晶體與晶體機械固定件之間的穩定連接，并同時作為電極使用； 非晶阻擋層，其位于所述平面型高純鍺晶體的另一端面上； 保護環，位于所述非晶阻擋層上； 多個獨立電極，分別間隔設置且位于所述保護環內。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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