三星電子株式會社金慶希獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉三星電子株式會社申請的專利半導(dǎo)體器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113745196B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110193507.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/538；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件是由金慶希;盧佑哲;金益秀;金埈寬;金陳燮;慎鏞珍設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-02-20向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本半導(dǎo)體器件在說明書摘要公布了：公開了一種半導(dǎo)體器件，其包括：襯底，包括單元陣列區(qū)域和外圍電路區(qū)域；單元晶體管，在襯底的單元陣列區(qū)域上；外圍晶體管，在襯底的外圍電路區(qū)域上；第一互連層，連接到單元晶體管；第二互連層，連接到外圍晶體管；層間電介質(zhì)層，覆蓋第一互連層；以及阻擋層，與第一互連層間隔開，該阻擋層覆蓋第二互連層的頂表面和側(cè)壁。
本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，包括： 襯底，包括單元陣列區(qū)域和外圍電路區(qū)域； 單元晶體管，在所述襯底的所述單元陣列區(qū)域上； 外圍晶體管，在所述襯底的所述外圍電路區(qū)域上； 第一互連層，連接到所述單元晶體管； 第二互連層，連接到所述外圍晶體管； 層間電介質(zhì)層，覆蓋所述第一互連層；以及 阻擋層，與所述第一互連層間隔開，所述阻擋層覆蓋所述第二互連層的頂表面和側(cè)壁， 其中所述第一互連層的側(cè)壁與所述層間電介質(zhì)層接觸， 其中所述第二互連層的所述側(cè)壁與所述阻擋層接觸，以及 其中所述阻擋層具有比所述層間電介質(zhì)層的氫濃度小的氫濃度。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當(dāng)日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔(dān)任何法律責(zé)任的依據(jù)或者憑證。
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