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龍圖騰網獲悉中國人民解放軍國防科技大學申請的專利芯片中電容陣列的電容測量裝置和方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120336101B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510826639.3，技術領域涉及：G06F11/22；該發明授權芯片中電容陣列的電容測量裝置和方法是由胡廣艷;歐鋼;孫鵬躍;樓生強;胡茜茜;袁木子;鄧丁;劉建;龔碧;王文豪設計研發完成，并于2025-06-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本芯片中電容陣列的電容測量裝置和方法在說明書摘要公布了：本發明涉及芯片中電容陣列的電容測量裝置和方法，通過對傳統的電容測量電路進行優化設計，采用基于縱橫線互電容的差分電容測量技術，對每兩個互電容之間的容差進行處理分析，來提升微小電容變化的捕捉能力。通過向相鄰發射電極施加相位相反的激勵，利用電流相消原理提取電容差異，有效消除電路器件工藝偏差和環境溫度漂移的影響，利用差分電容測量模塊將nA量級復合電流信號轉換為電壓，結合高通和低通濾波消除直流偏移，確保高增益下的信號穩定性；采用頻域信號處理模塊提取激勵的幅值和相位，將模擬信號轉換為數字信號，將噪聲影響降至最低，以生成高熵密鑰，測量結果魯棒性和精確度高，抗干擾能力較強。

本發明授權芯片中電容陣列的電容測量裝置和方法在權利要求書中公布了：1.一種芯片中電容陣列的電容測量裝置，其特征在于，包括微控制器、待測芯片的電容陣列、差分電容測量模塊和頻域信號處理模塊；電容陣列包括多個正交的發射電極和接收電極，發射電極和接收電極之間的每一個相交點對應一個電容； 通過差分電容測量模塊向電容陣列的每兩個相鄰發射電極分別輸入同步的振幅匹配且相位相反的激勵信號，獲取電容陣列上每兩個相鄰發射電極公共的接收電極上產生的復合電流信號并轉為電壓形式的測量信號，通過頻域信號處理模塊對測量信號ADC采樣后進行快速傅里葉變換，從測量信號中提取電容陣列每兩個電容的容差作為電容陣列的特征參數，微控制器用于控制差分電容測量模塊的激勵信號生成，以及根據特征參數生成電容陣列所屬芯片的PUF標識符； 差分電容測量模塊包括雙通道DAC電路、第一低通濾波器、全差分放大器、結型場效應晶體管跨阻放大器、高通濾波器、交流放大器和第二低通濾波器； 雙通道DAC電路依次通過第一低通濾波器和全差分放大器分別連接至電容陣列的各發射電極，結型場效應晶體管跨阻放大器的輸入端分別連接電容陣列的各接收電極，結型場效應晶體管跨阻放大器的輸出端依次通過高通濾波器、交流放大器和第二低通濾波器連接至頻域信號處理模塊，雙通道DAC電路用于生成同步的振幅匹配且相位相反的激勵信號。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國人民解放軍國防科技大學，其通訊地址為：410073 湖南省長沙市開福區德雅路109號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。