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龍圖騰網獲悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利一種溝槽的制作方法、半導體器件及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120221407B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510705018.X，技術領域涉及：H01L21/308；該發明授權一種溝槽的制作方法、半導體器件及其制作方法是由陳興設計研發完成，并于2025-05-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種溝槽的制作方法、半導體器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種溝槽的制作方法、半導體器件及其制作方法，涉及半導體技術領域，該制作方法包括：提供襯底，在襯底上形成第一掩膜層，并以光罩為掩膜對第一掩膜層進行刻蝕，使第一掩膜層覆蓋第一溝槽區的襯底，在襯底上形成第二掩膜層，并對第二掩膜層進行刻蝕，使第二掩膜層暴露出第一掩膜層以及第二溝槽區的襯底，以第一掩膜層和第二掩膜層為掩膜對第二溝槽區的襯底進行刻蝕，形成較淺的第二溝槽，對第一掩膜層進行刻蝕，使第二掩膜層暴露出第二溝槽區和第一溝槽區的襯底，以第二掩膜層為掩膜對第一溝槽區和第二溝槽區的襯底進行刻蝕，形成較深的第二溝槽和較淺的第一溝槽，從而可以采用一張光罩制作淺溝槽和深溝槽，進而可以降低制作成本。

本發明授權一種溝槽的制作方法、半導體器件及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種溝槽的制作方法，其特征在于，包括： 提供襯底，所述襯底包括間隔設置的第一溝槽區和第二溝槽區； 在所述襯底上形成第一掩膜層，并以預設光罩為掩膜，對所述第一掩膜層進行刻蝕，使所述第一掩膜層僅覆蓋所述第一溝槽區的襯底； 在所述襯底上形成第二掩膜層，并對所述第二掩膜層進行各向異性刻蝕，使所述第二掩膜層暴露出所述第一掩膜層以及所述第二溝槽區的襯底，且保留所述第一溝槽區與所述第二溝槽區之間的所述襯底上的所述第二掩膜層； 以所述第一掩膜層和所述第二掩膜層為掩膜，對所述第二溝槽區的襯底進行刻蝕，形成第一深度的第二溝槽； 對所述第一掩膜層進行刻蝕，使所述第二掩膜層暴露出所述第二溝槽區的襯底和第一溝槽區的襯底； 以所述第二掩膜層為掩膜，對所述第一溝槽區的襯底和所述第二溝槽區的襯底進行刻蝕，形成第二深度的第二溝槽和第三深度的第一溝槽；所述第二深度大于所述第一深度和所述第三深度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區北京經濟技術開發區科創十三街29號院一區2號樓13層1302-C54；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。