晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司陳興獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利一種半導體器件及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120224723B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510704987.3，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權一種半導體器件及其制作方法是由陳興設計研發完成，并于2025-05-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體器件及其制作方法，涉及半導體技術領域，該方法包括：提供襯底，對該襯底進行摻雜形成溝道摻雜區，并在該溝道摻雜區上形成柵極結構以及圍繞該柵極結構的偏移側墻，去除該溝道摻雜區內未被該柵極結構和該偏移側墻覆蓋的襯底以及位于該偏移側墻底部的襯底，在去除襯底的區域形成半導體層，因為該半導體層未摻雜或者該半導體層的摻雜濃度小于該溝道摻雜區的摻雜濃度，所以，可以減小半導體器件如MOS晶體管的柵誘導漏極泄漏電流，提高半導體器件如MOS晶體管的可靠性。
本發明授權一種半導體器件及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供襯底； 對所述襯底進行摻雜形成溝道摻雜區，并在所述溝道摻雜區上形成柵極結構以及圍繞所述柵極結構的偏移側墻； 去除所述溝道摻雜區內未被所述柵極結構和所述偏移側墻覆蓋的襯底以及位于所述偏移側墻底部的襯底形成凹槽；所述凹槽的內側壁與所述柵極結構的外側壁平齊； 在所述凹槽內形成半導體層，所述半導體層的材料與所述襯底的材料相同，所述半導體層未摻雜或者所述半導體層的摻雜濃度小于所述溝道摻雜區的摻雜濃度，以減小柵漏交疊區界面附近區域的襯底的摻雜濃度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區北京經濟技術開發區科創十三街29號院一區2號樓13層1302-C54；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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