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龍圖騰網(wǎng)獲悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120187084B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510638096.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D64/01；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法是由李燕;宋富冉;蘇爍洋;周儒領(lǐng)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-05-19向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法包括：提供基底；所述基底包括襯底和淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；其中，所述襯底包括被所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)定義出的第一區(qū)域；刻蝕所述襯底，形成位于所述第一區(qū)域的凹槽；其中，所述凹槽的底部所在平面與相鄰淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)互相面對(duì)的側(cè)壁形成目標(biāo)區(qū)域；所述目標(biāo)區(qū)域內(nèi)具有在刻蝕襯底過程中形成的襯底刻蝕殘留部；將所述襯底刻蝕殘留部的材質(zhì)進(jìn)行轉(zhuǎn)化，以在所述目標(biāo)區(qū)域制作得到第一柵氧化層。通過轉(zhuǎn)化襯底刻蝕殘留部的材質(zhì)，能夠減少在制作形成第一柵氧化層之后目標(biāo)區(qū)域的襯底材料殘留，提升第一柵氧化層的可靠性。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括： 提供基底；所述基底包括襯底和淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；其中，所述襯底包括被所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)定義出的第一區(qū)域；所述襯底上還形成有定義所述第一區(qū)域的圖案化掩膜層； 刻蝕所述襯底，形成位于所述第一區(qū)域的凹槽；其中，所述凹槽的底部所在平面與相鄰淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)互相面對(duì)的側(cè)壁形成目標(biāo)區(qū)域；所述目標(biāo)區(qū)域內(nèi)具有在刻蝕襯底過程中形成的襯底刻蝕殘留部； 將所述襯底刻蝕殘留部的材質(zhì)進(jìn)行轉(zhuǎn)化，以在所述目標(biāo)區(qū)域制作得到第一柵氧化層，包括：將所述襯底刻蝕殘留部的材質(zhì)轉(zhuǎn)化為與所述圖案化掩膜層相同的材質(zhì)；去除所述圖案化掩膜層；其中，所述目標(biāo)區(qū)域中的襯底刻蝕殘留部一并被去除；在所述目標(biāo)區(qū)域形成第一柵氧化層。

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