買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉山東科技大學申請的專利一種脈沖紫外光激發的半導體氣體傳感器及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120064409B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510527601.6，技術領域涉及：G01N27/30；該發明授權一種脈沖紫外光激發的半導體氣體傳感器及制備方法是由張雪;楊德旺;郭素敏;田群宏設計研發完成，并于2025-04-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種脈沖紫外光激發的半導體氣體傳感器及制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種脈沖紫外光激發的半導體氣體傳感器及制備方法，屬于半導體氣體傳感器技術領域，自下而上依次包括襯底、柵電極、柵介質層、敏感材料層和頂層電極，頂層電極上方設有脈沖光激發裝置，敏感材料層為PN型或NN型橫向異質結金屬氧化物半導體，金屬氧化物的橫向異質結結構可增加兩種敏感材料之間的界面面積，將紫外光以脈沖形式照在金屬電極和敏感材料層，通過檢測半導體氣體傳感器器件的閾值電壓和漏電極電流參數變化，實現對目標氣體的檢測。提高了敏感材料中光生自由電子?空穴對的數量，使傳感器工作時無需高溫加熱，可有效降低其功耗，擴大了氣體傳感器的應用范圍。

本發明授權一種脈沖紫外光激發的半導體氣體傳感器及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種脈沖紫外光激發的半導體氣體傳感器，其特征在于，自下而上依次包括襯底、柵電極、柵介質層、敏感材料層和頂層電極，所述頂層電極上方設有脈沖光激發裝置； 所述敏感材料層為PN型或NN型橫向異質結金屬氧化物半導體，由P型或N型金屬氧化物半導體層和N型金屬氧化物半導體層水平交替排布構成，包括摻雜和未摻雜金屬氧化物材料； 該半導體氣體傳感器的制備方法包括以下步驟： S1、分別制備含有金屬銦離子的N型和P型金屬氧化物前驅體溶液，以及具有氮化硅柵介質層的硅襯底； S2、采用丙酮、異丙醇和去離子水分別對硅襯底清洗后進行烘干，并采用等離子清洗機對硅襯底表面進行二次清洗處理，提高表面的親水性； S3、制備一種多溝道柔性模具，模具設有若干個線型微通道，將模具按壓在柵介質層上，將所選的N型或P型金屬氧化物前驅體溶液滴在模具一側，使其受微通道毛細力作用流入線型微通道內，之后放置在熱臺進行預烤，待去掉模具后結合脈沖紫外光進行低溫退火，得到線型結構的N型或P型半導體層； S4、采用旋涂法，將S3得到的樣品放置于勻膠機中，以旋涂方式涂覆N型金屬氧化物前驅體溶液，之后置于加熱臺預烤，然后結合脈沖紫外光進行低溫退火，得到水平橫向異質結結構的PN型或NN型金屬氧化物敏感材料層； S5、以真空沉積方式，形成柵電極、源電極和漏電極，最終得到基于橫向異質結半導體材料的半導體氣體傳感器； S6、將紫外光以脈沖形式照在頂層電極和敏感材料層，通過檢測半導體氣體傳感器的閾值電壓和漏電極電流參數變化，實現對目標氣體的檢測； 所述線型微通道的線型寬度5μm，長度15μm，行距1μm，圖案高度50nm。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人山東科技大學，其通訊地址為：266590 山東省青島市黃島區前灣港路579號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。