東芯半導體股份有限公司賴榮欽獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉東芯半導體股份有限公司申請的專利一種占空比調節器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115132243B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210849584.4，技術領域涉及：G11C7/22；該發明授權一種占空比調節器是由賴榮欽設計研發完成，并于2022-07-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種占空比調節器在說明書摘要公布了：本發明涉及一種占空比調節器，包括：第一占空比調節DCA模塊，所述第一DCA模塊包括M個并聯的調節單元，每個調節單元包括與非門和NMOS晶體管，每個調節單元被配置成用于：輸入到所述與非門的從低電平轉換到高電平的時序延遲使所述NMOS在信號的上升沿不被打開，從而所述NMOS不會改變所述信號的上升沿；并且輸入到所述與非門的從高電平轉換到低電平的時序延遲使所述NMOS在信號的下降沿被打開，從而所述NMOS將所述信號的下降沿推遲，以增大所述信號的占空比。
本發明授權一種占空比調節器在權利要求書中公布了：1.一種占空比調節器，包括： 第一占空比調節模塊，所述第一占空比調節模塊包括M個并聯的調節單元，每個調節單元包括與非門和NMOS晶體管，每個調節單元被配置成用于：輸入到所述與非門的從低電平轉換到高電平的時序延遲使所述NMOS在信號的上升沿不被打開，從而所述NMOS不會改變所述信號的上升沿；并且輸入到所述與非門的從高電平轉換到低電平的時序延遲使所述NMOS在信號的下降沿被打開，從而所述NMOS將所述信號的下降沿推遲，以增大所述信號的占空比，和或 第二占空比調節模塊，所述第二占空比調節模塊包括N個并聯的調節單元，每個調節單元包括與非門和PMOS晶體管，每個調節單元被配置成用于：輸入到所述與非門的從低電平轉換到高電平的時序延遲使所述PMOS在信號的上升沿不被打開，從而所述PMOS不會改變所述信號的上升沿；并且輸入到所述與非門的從高電平轉換到低電平的時序延遲使所述PMOS在信號的下降沿被打開，從而所述PMOS將所述信號的下降沿提前，以減小所述信號的占空比。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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