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龍圖騰網獲悉電子科技大學申請的專利一種具有漸變摻雜階梯氟離子終端的GaN HEMT器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115050814B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210829743.4，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權一種具有漸變摻雜階梯氟離子終端的GaN HEMT器件是由魏杰;趙智家;彭小松;楊可萌;孫濤;郗路凡;鄧思宇;廖德尊;張成;賈艷江;羅小蓉設計研發完成，并于2022-07-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種具有漸變摻雜階梯氟離子終端的GaN HEMT器件在說明書摘要公布了：本發明屬于功率半導體技術領域，涉及一種具有漸變摻雜階梯氟離子終端的GaNHEMT器件。利用干法刻蝕的負載效應形成沿源極到漏極隨窗口寬度依次變小因而深度依次變淺的階梯槽，并且引入經一次性氟離子注入實現的柵下氟離子區和漸變摻雜階梯氟離子終端，同時實現增強型和高耐壓。漸變摻雜階梯氟離子終端能有效降低柵極附近的電場尖峰，并在靠近漏極的終端末端引入新的電場尖峰，優化漂移區表面電場分布，提高器件耐壓。同時相較于在勢壘層中注入氟離子的終端結構，在介質鈍化層里注入氟離子能減小對二維電子氣遷移率的影響，從而改善器件正向導通和動態特性。

本發明授權一種具有漸變摻雜階梯氟離子終端的GaN HEMT器件在權利要求書中公布了：1.一種具有漸變摻雜階梯氟離子終端的GaNHEMT器件，沿器件垂直方向，包括自下而上依次層疊設置的襯底1、GaN緩沖層2、GaN溝道層3、AlGaN勢壘層4以及介質鈍化層5；沿器件橫向方向，器件表面從一側到另一側依次具有源極6、氟離子槽柵結構、漸變摻雜階梯氟離子終端8和漏極9；源極6和漏極9均沿器件垂直方向貫穿介質鈍化層5，延伸到AlGaN勢壘層4中，下表面與AlGaN勢壘層4形成歐姆接觸；氟離子槽柵結構從下至上依次包括柵下氟離子區80和柵極7，其中柵下氟離子區80穿過介質鈍化層5進入AlGaN勢壘層4中，柵極7上表面向左右延伸覆蓋在介質鈍化層5上，并且與漸變摻雜階梯氟離子終端8的邊緣不接觸，柵極7下表面與柵下氟離子區80接觸；漸變摻雜階梯氟離子終端8沿源極到漏極的方向，由多個深度依次變淺且寬度依次變窄的介質槽和多個與槽底接觸的氟離子區組成，各個氟離子區的寬度與相接觸的介質槽的寬度相同，氟離子區僅在介質鈍化層5內，且與AlGaN勢壘層4上表面的縱向距離沿源極到漏極的方向依次變大。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人電子科技大學，其通訊地址為：611731 四川省成都市高新西區西源大道2006號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。