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龍圖騰網(wǎng)獲悉華燦光電(浙江)有限公司申請的專利改善光效的發(fā)光二極管芯片及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115274953B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210698898.9，技術(shù)領域涉及：H10H20/816；該發(fā)明授權(quán)改善光效的發(fā)光二極管芯片及其制備方法是由蘭葉;王江波;張威設計研發(fā)完成，并于2022-06-20向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本改善光效的發(fā)光二極管芯片及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開提供了一種改善光效的發(fā)光二極管芯片及其制備方法，屬于光電子制造技術(shù)領域。該發(fā)光二極管芯片包括：基板、發(fā)光結(jié)構(gòu)、第一電極和第二電極；所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括依次層疊于所述基板上的第一半導體層、多量子阱層和第二半導體層，所述第一半導體層和所述第二半導體層中的一個為p型層，所述第二半導體層的表面具有露出所述第一半導體層的凹槽，所述第一電極位于所述凹槽內(nèi)，所述第二電極位于所述第二半導體層遠離所述基板的一側(cè)；所述p型層的局部區(qū)域注入有硅離子，且所述局部區(qū)域環(huán)繞所述凹槽。本公開實施例能避免半導體層上刻蝕凹槽后產(chǎn)生的缺陷導致漏電的問題，改善芯片的光效。

本發(fā)明授權(quán)改善光效的發(fā)光二極管芯片及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種改善光效的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述發(fā)光二極管芯片包括：基板10、發(fā)光結(jié)構(gòu)20、第一電極31和第二電極32； 所述發(fā)光結(jié)構(gòu)20包括依次層疊于所述基板10上的第一半導體層21、多量子阱層22和第二半導體層23，所述第一半導體層21和所述第二半導體層23中的一個為p型層，所述第二半導體層23的表面具有露出所述第一半導體層21的凹槽24，所述第一電極31位于所述凹槽24內(nèi)，所述第二電極32位于所述第二半導體層23遠離所述基板10的一側(cè)； 所述p型層的局部區(qū)域210注入有硅離子，且所述局部區(qū)域210沿著所述凹槽24的邊緣環(huán)繞所述凹槽24。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人華燦光電(浙江)有限公司，其通訊地址為：322000 浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)蘇福路233號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。