芯合半導體公司李亮獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉芯合半導體公司申請的專利半導體器件插塞形成方法及其半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115084013B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210667516.6，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權半導體器件插塞形成方法及其半導體器件是由李亮;張宏光;楊珩;劉晃設計研發完成，并于2022-06-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件插塞形成方法及其半導體器件在說明書摘要公布了：本發明公開一種半導體器件插塞形成方法及其半導體器件。在所提出的半導體器件插塞形成方法中，所述半導體器件包括深溝槽結構及配置于該深溝槽結構內的存儲節點，該方法包括：a在所述深溝槽結構內填充單層膜，并覆蓋所述存儲節點；以及b回刻所述單層膜，以形成位于所述深溝槽結構內及所述存儲節點周圍的所述插塞，其中，所述單層膜形成單一襯墊層。
本發明授權半導體器件插塞形成方法及其半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種形成用于半導體器件的插塞的方法，其中，所述半導體器件包括深溝槽結構以及配置于所述深溝槽結構中的存儲節點，其特征在于，所述方法包括： 步驟a在所述深溝槽結構內填充單層膜，并覆蓋所述存儲節點；以及 步驟b回刻所述單層膜以形成位于所述深溝槽結構內且位于所述存儲節點周圍的插塞，其中，所述單層膜形成單一襯墊層， 其中，所述深溝槽結構具有第一頂面，所述插塞的最靠近所述第一頂面的頂面低于所述第一頂面， 其中，由所述插塞的頂面、所述存儲節點的側壁以及所述深溝槽結構的側壁限定出所述半導體器件的凹槽結構，所述凹槽結構圍繞所述存儲節點。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人芯合半導體公司，其通訊地址為：中國香港西營盤正街18號凱盛中心12樓3A室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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