買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉西安電子科技大學;西安電子科技大學廣州研究院申請的專利一種基于非對稱歐姆再生長區域的高線性GaN HEMT器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114843335B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210205185.4，技術領域涉及：H10D62/13；該發明授權一種基于非對稱歐姆再生長區域的高線性GaN HEMT器件及其制備方法是由宓珉瀚;馬曉華;龔燦;周雨威;王鵬飛;張濛;侯斌;楊凌設計研發完成，并于2022-03-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于非對稱歐姆再生長區域的高線性GaN HEMT器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于非對稱歐姆再生長區域的高線性GaNHEMT器件及其制備方法，采用高極化強度低方阻異質結材料進行器件制備；光刻定義出源極的歐姆再生長區域；在光刻膠的掩蔽下，對源極歐姆再生長區域的氮化物進行刻蝕；外延n+GaN；光刻定義出自終止刻蝕區域；在光刻膠的掩蔽下，對自終止刻蝕區域的n+GaN進行自終止刻蝕；對器件隔離區域再次進行自終止刻蝕以去除未被光刻膠保護區域的表面n+GaN。本發明制備的器件工作電壓增加時，源極勢壘高度發生降低、勢壘厚度發生減薄使得源極再生長臺階Ledge與2DEG溝道間發生熱電子轉移或者隧穿等，使得源極導電通路增加，削弱了由于電流增加導致源極接入電阻的增加，使得GaNHEMT的線性度提升。

本發明授權一種基于非對稱歐姆再生長區域的高線性GaN HEMT器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于非對稱歐姆再生長區域的高線性GaNHEMT器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 步驟一、在襯底10上依次生長GaN緩沖層20和勢壘層30；所述GaN緩沖層20和所述勢壘層30構成異質結結構； 步驟二、光刻定義源極的歐姆再生長區域，所述歐姆再生長區域位于所述勢壘層30的一側； 步驟三、采用干法刻蝕的方法將源極的所述歐姆再生長區域的勢壘層30刻蝕直至所述GaN緩沖層20和所述勢壘層30交界處以下至少20nm處，形成刻蝕槽31； 步驟四、在步驟三制備的產品上外延n+GaN層40，摻雜濃度在1e20cm-3量級以上，以在所述刻蝕槽31上的n+GaN層40上方形成凹槽41； 步驟五、光刻定義自終止刻蝕區域42，所述自終止刻蝕區域42位于所述n+GaN層40的中部； 步驟六、采用干法刻蝕的方法將所述自終止刻蝕區域42暴露的n+GaN層40去除，刻蝕氣體為SF6BCl3； 步驟七、光刻定義隔離區50在所述n+GaN層40上對應的待刻蝕區域43，所述待刻蝕區域43位于所述步驟六制備的產品的邊緣上； 步驟八、采用干法刻蝕的方法將所述待刻蝕區域43暴露的n+GaN層40去除，并形成第一n+GaN外延層60和第二n+GaN外延層70； 步驟九、利用離子注入設備，在所述隔離區50注入B或Ar離子，以形成所述隔離區50，實現器件隔離； 步驟十、利用電子束蒸發設備在所述凹槽41內和所述第二n+GaN外延層70上淀積電極金屬，形成源極80和漏極90； 步驟十一、在步驟十制備的產品表面淀積鈍化層92，并采用干法刻蝕的方法將所述源極80和所述漏極90上的鈍化層92去除； 步驟十二、采用干法刻蝕的方法將柵極區域的鈍化層92去除，所述柵極區域位于所述源極80和所述漏極90之間；并在柵極區域淀積電極金屬，形成柵極91，制備完成得到基于非對稱歐姆再生長區域的高線性GaNHEMT器件。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安電子科技大學;西安電子科技大學廣州研究院，其通訊地址為：710000 陜西省西安市雁塔區太白南路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。