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龍圖騰網(wǎng)獲悉藍思科技(長沙)有限公司申請的專利導電薄膜及其制備方法、電子產(chǎn)品蓋板和電子產(chǎn)品獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114429832B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210106581.1，技術(shù)領域涉及：H01B5/14；該發(fā)明授權(quán)導電薄膜及其制備方法、電子產(chǎn)品蓋板和電子產(chǎn)品是由劉勇;朱斌;陳小群設計研發(fā)完成，并于2022-01-28向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本導電薄膜及其制備方法、電子產(chǎn)品蓋板和電子產(chǎn)品在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種導電薄膜及其制備方法、電子產(chǎn)品蓋板和電子產(chǎn)品，涉及薄膜技術(shù)領域。本發(fā)明提供了一種導電薄膜，由用于設置在非金屬基材表層以及設置在所述Cr膜層表面的CrSixCyN膜層構(gòu)成，其中，通過對Cr膜層和CrSixCyN膜層各自膜層厚度和兩種膜層厚度比值的限定，以及控制CrSixCyN膜層中Si和C的含量使得該導電薄膜同時具有低電阻、高硬度和耐摩擦的性能，可有效避免長時間使用摩擦出現(xiàn)質(zhì)量信賴性問題。本發(fā)明還提供了上述導電薄膜的制備方法，通過采用ICP輔助磁控濺射方法，可提高成膜的致密性，使得Cr膜層與非金屬基材之間、CrSixCyN膜層與Cr膜層之間均具有良好的結(jié)合力。

本發(fā)明授權(quán)導電薄膜及其制備方法、電子產(chǎn)品蓋板和電子產(chǎn)品在權(quán)利要求書中公布了：1.一種導電薄膜，其特征在于，由用于設置在非金屬基材表面的Cr膜層以及設置在所述Cr膜層表面的CrSixCyN膜層構(gòu)成； 所述Cr膜層的厚度為0.3-0.5μm，所述CrSixCyN膜層的厚度為0.8-1.3μm，所述Cr膜層與所述CrSixCyN膜層的厚度比為1：（2.25-3.00）； 所述CrSixCyN膜層中，x為0.8-1.2，y為0.5-1.0。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人藍思科技(長沙)有限公司，其通訊地址為：410100 湖南省長沙市長沙縣長沙經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)漓湘路99號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。