廈門市三安光電科技有限公司江賓獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉廈門市三安光電科技有限公司申請的專利一種發光二極管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114203747B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111491934.6，技術領域涉及：H10H29/856；該發明授權一種發光二極管是由江賓;臧雅姝;張中英;彭康偉;陳思河;龍思怡;曾明俊;陳功;曾煒竣設計研發完成，并于2021-12-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種發光二極管在說明書摘要公布了：本發明公開了一種發光二極管，發光二極管包括：襯底、設置于襯底表面的第一半導體層、設置于第一半導體層表面的凸出部及第一反射結構，其中，第一半導體層的表面包括第一導電區和第二導電區；凸出部設置于第一半導體層的第一導電區內，且凸出部在第一半導體層的表面依次包括有源層和第二半導體層；第一反射結構設置于每個凸出部內且貫穿第二半導體層、有源層和至少部分第一半導體層，第一半導體層的材料包括AlxGa1?xN，其中X取值介于0～1，發光二極管的輻射光的波長介于200～320nm。由上，本發明能夠有效縮短外延層內光的傳播路徑，減少光被外延層，尤其是第一半導體層的吸收，提高光的出光效率。
本發明授權一種發光二極管在權利要求書中公布了：1.一種發光二極管，其特征在于，包括： 襯底； 第一半導體層，設置于襯底的表面，所述第一半導體層的表面包括第一導電區和第二導電區；所述第一半導體層的材料包括AlxGa1-xN，其中X取值介于0~1； 凸出部，設置于所述第一半導體層的第一導電區內，且所述凸出部在所述第一半導體層的表面依次包括有源層和第二半導體層，所述凸出部沿平行所述襯底的一個方向上延伸并形成多個間隔設置的延伸部； 第一反射結構，設置于每個所述凸出部內且貫穿所述第二半導體層、有源層和至少部分第一半導體層，在每個所述延伸部上，所述第一反射結構的個數為多個，且多個所述第一反射結構沿所述延伸部的延伸方向上依次排布； 其中，所述發光二極管的輻射光的波長介于200nm~320nm。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廈門市三安光電科技有限公司，其通訊地址為：361009 福建省廈門市思明區呂嶺路1721－1725號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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