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龍圖騰網(wǎng)獲悉合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司申請的專利陣列基板及其制備方法、顯示裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114038863B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111318605.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D86/60；該發(fā)明授權(quán)陣列基板及其制備方法、顯示裝置是由程磊磊;張揚;周斌;劉軍;劉寧設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-11-09向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本陣列基板及其制備方法、顯示裝置在說明書摘要公布了：本公開涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置；該陣列基板包括襯底基板、第一導(dǎo)電層、保護層、層間介電層及第二導(dǎo)電層；第一導(dǎo)電層設(shè)于襯底基板的一側(cè)，第一導(dǎo)電層包括連接部；保護層設(shè)于第一導(dǎo)電層的遠離襯底基板的一側(cè)，保護層上設(shè)置有第一過孔，第一過孔連通至連接部；層間介電層設(shè)于保護層的遠離襯底基板的一側(cè)，層間介電層上設(shè)置有第二過孔，第二過孔與第一過孔連通，第二過孔在襯底基板上的正投影與保護層在襯底基板上的正投影有交疊；第二導(dǎo)電層設(shè)于層間介電層的遠離襯底基板的一側(cè)，第二導(dǎo)電層通過第一過孔和第二過孔與連接部連接。該陣列基板不容易產(chǎn)生接觸不良、顯示效果好。

本發(fā)明授權(quán)陣列基板及其制備方法、顯示裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括： 提供一襯底基板； 在所述襯底基板的一側(cè)形成第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層包括連接部； 在所述第一導(dǎo)電層的遠離所述襯底基板的一側(cè)形成保護材料層，對所述保護材料層進行處理形成保護層，所述保護材料層的材質(zhì)是光感型有機硅，所述光感型有機硅曝光后形成氧化硅； 在所述保護層的遠離所述襯底基板的一側(cè)形成層間介電材料層，對所述層間介電材料層采用CF4等離子體和O2等離子體的混合物進行干法刻蝕形成第二過孔以及層間介電層，所述第二過孔在所述襯底基板上的正投影與所述保護層在所述襯底基板上的正投影有交疊； 對所述保護層進行圖案化處理形成第一過孔，所述第一過孔連通至所述連接部，所述第二過孔與所述第一過孔連通； 在所述層間介電層的遠離所述襯底基板的一側(cè)形成第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層通過所述第一過孔和所述第二過孔與所述連接部連接； 所述對所述保護材料層進行處理形成保護層，包括： 對與所述連接部相對的所述保護材料層進行半曝光處理，其余的所述保護材料層進行全曝光處理，以使被曝光的所述保護材料層形成隔離層，未被曝光的所述保護材料層形成所述保護層； 在對所述層間介電材料層進行圖案化處理形成第二過孔的同時，所述制備方法還包括： 對所述隔離層進行圖案化處理形成第三過孔，所述第三過孔與所述第二過孔以及所述第一過孔連通； 其中，在對所述保護層進行圖案化處理形成第一過孔之前，所述制備方法還包括： 對所述保護層進行曝光。

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