納峰真空鍍膜(上海)有限公司唐智獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉納峰真空鍍膜(上海)有限公司申請(qǐng)的專利一種用于圓柱靶的測(cè)量裝置及測(cè)量方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN112731229B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202011594035.4,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G01R33/10;該發(fā)明授權(quán)一種用于圓柱靶的測(cè)量裝置及測(cè)量方法是由唐智;徐長亮設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2020-12-29向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本一種用于圓柱靶的測(cè)量裝置及測(cè)量方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開了一種用于圓柱靶的測(cè)量裝置,包括:支撐機(jī)構(gòu),其被配置為能夠提供使圓柱靶保持水平的可轉(zhuǎn)動(dòng)支撐;第一驅(qū)動(dòng)模組,其被配置為能夠驅(qū)動(dòng)使所述圓柱靶在所述支撐機(jī)構(gòu)上作軸向轉(zhuǎn)動(dòng);第二驅(qū)動(dòng)模組,其被配置為能夠攜帶檢測(cè)單元作相對(duì)于所述圓柱靶的多軸運(yùn)動(dòng),以對(duì)所述圓柱靶進(jìn)行測(cè)量。本發(fā)明能夠快速判斷出圓柱靶的外觀尺寸及磁場強(qiáng)度是否合格,并能對(duì)圓柱靶的磁場強(qiáng)度分布作出準(zhǔn)確的立體反映,采集的數(shù)據(jù)穩(wěn)定,采集數(shù)據(jù)多,數(shù)據(jù)準(zhǔn)確,適于推廣。本發(fā)明還公開了一種用于圓柱靶的測(cè)量方法。
本發(fā)明授權(quán)一種用于圓柱靶的測(cè)量裝置及測(cè)量方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種用于圓柱靶的測(cè)量方法,其特征在于,包括: 步驟01:將圓柱靶水平放置,并沿其軸向定義一測(cè)量區(qū)間; 步驟02:利用一測(cè)距單元,將其置于所述圓柱靶的一側(cè),并位于與測(cè)量區(qū)間的起點(diǎn)對(duì)應(yīng)的位置上,以該位置為坐標(biāo)原點(diǎn),建立一空間直角坐標(biāo)系; 步驟03:使所述測(cè)距單元沿空間直角坐標(biāo)系的y軸向垂直移動(dòng),獲取所述圓柱靶側(cè)面上相距所述測(cè)距單元最近的第一點(diǎn)的坐標(biāo)位置,以及所述第一點(diǎn)與所述測(cè)距單元之間的第一距離; 步驟04:將所述測(cè)距單元沿空間直角坐標(biāo)系的z軸向平移至一預(yù)定坐標(biāo),使所述測(cè)距單元沿空間直角坐標(biāo)系的y軸向垂直移動(dòng),獲取所述圓柱靶側(cè)面上相距所述測(cè)距單元最近的第二點(diǎn)的坐標(biāo)位置,以及所述第二點(diǎn)與所述測(cè)距單元之間的第二距離; 步驟05:重復(fù)步驟04,直至獲取所述圓柱靶側(cè)面上相距所述測(cè)距單元最近的第N點(diǎn)的坐標(biāo)位置,以及所述第N點(diǎn)與所述測(cè)距單元之間的第N距離;其中,第N點(diǎn)的坐標(biāo)位置與測(cè)量區(qū)間的終點(diǎn)對(duì)應(yīng),N為正整數(shù); 步驟06:根據(jù)所述第一點(diǎn)和所述第N點(diǎn)的坐標(biāo)位置,得到所述圓柱靶在所述測(cè)量區(qū)間上的第一斜率,根據(jù)所述第二點(diǎn)至所述第N-1點(diǎn)的坐標(biāo)位置中與所述第一斜率之間的距離最大值,得到所述圓柱靶的第一直線度; 步驟07:使所述測(cè)距單元返回至與所述第一點(diǎn)對(duì)應(yīng)的坐標(biāo)位置,利用一磁場強(qiáng)度檢測(cè)單元,將其定位于所述測(cè)距單元一側(cè),并調(diào)整使所述磁場強(qiáng)度檢測(cè)單元與所述圓柱靶側(cè)面保持一第一感應(yīng)距離; 步驟08:將所述磁場強(qiáng)度檢測(cè)單元移動(dòng)至與所述第一點(diǎn)對(duì)應(yīng)的坐標(biāo)位置,并使所述圓柱靶旋轉(zhuǎn)一周,得到與檢測(cè)到的所述圓柱靶側(cè)面上磁場強(qiáng)度峰值對(duì)應(yīng)的所述圓柱靶的峰值轉(zhuǎn)動(dòng)角; 步驟09:將所述圓柱靶旋轉(zhuǎn)至所述峰值轉(zhuǎn)動(dòng)角,使所述磁場強(qiáng)度檢測(cè)單元沿所述第一斜率方向移動(dòng),對(duì)所述測(cè)量區(qū)間之間的所述圓柱靶側(cè)面上的所述第一點(diǎn)至所述第N點(diǎn)的磁場強(qiáng)度進(jìn)行掃描測(cè)量,得到沿所述圓柱靶軸向的第一磁場強(qiáng)度分布;其中測(cè)量時(shí),根據(jù)第一距離至第N距離,調(diào)整使所述磁場強(qiáng)度檢測(cè)單元與所述圓柱靶側(cè)面保持所述第一感應(yīng)距離進(jìn)行測(cè)量。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人納峰真空鍍膜(上海)有限公司,其通訊地址為:201700 上海市青浦區(qū)青浦工業(yè)園區(qū)華紡路99弄99號(hào)2幢1層A區(qū);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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