深圳博升光電科技有限公司廖文龍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳博升光電科技有限公司申請的專利高對比度光柵垂直腔面發射激光器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112332211B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011286924.4，技術領域涉及：H01S5/028；該發明授權高對比度光柵垂直腔面發射激光器及其制備方法是由廖文龍;沈志強;祁繼鵬設計研發完成，并于2020-11-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本高對比度光柵垂直腔面發射激光器及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種高對比度光柵垂直腔面發射激光器及其制備方法，包括依次從下至上設置的第一反射器層、有源層、第二反射器層及光柵層，該光柵層上依次設置有的圖案化的第一保護層及第二保護層，該光柵層設置為包括光柵條的圖案化膜層，該第一保護層覆蓋該光柵條，該第一保護層與第二保護層存在刻蝕選擇比。本申請實施例通過在光柵層上設置存在刻蝕選擇比的保護層，使得對外側保護層進行選擇性刻蝕，對芯片的部分結構進行保護時，由于存在的刻蝕選擇比從而能夠有效完整的保持內部的保護層的完整性，實現內側保護層對光柵條的保護，提高了發射激光器的穩定性。
本發明授權高對比度光柵垂直腔面發射激光器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種高對比度光柵垂直腔面發射激光器，包括從下至上設置的第一反射器層、有源層、第二反射器層及光柵層，其特征在于， 所述光柵層上依次設置有的圖案化的第一保護層及第二保護層，所述光柵層設置為包括光柵條的圖案化膜層，所述第一保護層覆蓋所述光柵條，所述第一保護層及所述第二保護層存在刻蝕選擇比，所述第二保護層的刻蝕速率大于所述第一保護層的刻蝕速率； 所述第一保護層及所述第二保護層設置為包括SiO2、SiN、TiO2、AlN、Ta2O5、AlOx及HfO2中至少任一種或其混合物的單層或復合膜層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳博升光電科技有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市南山區桃源街道福光社區留仙大道3370號南山智園崇文園區3號樓2604；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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