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龍圖騰網(wǎng)獲悉聯(lián)華電子股份有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體元件及其制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114512597B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202011276897.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N50/01；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體元件及其制作方法是由郭致瑋設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-11-16向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體元件及其制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體元件及其制作方法，其中該半導(dǎo)體元件的制作方法包括：供一基底，包括一邏輯元件區(qū)以及一存儲(chǔ)器元件區(qū)。接著形成一存儲(chǔ)器堆疊結(jié)構(gòu)于存儲(chǔ)器元件區(qū)上，并形成一保護(hù)層覆蓋存儲(chǔ)器堆疊結(jié)構(gòu)的頂面及側(cè)壁。然后形成第一層間介電層于保護(hù)層上，并進(jìn)行一研磨后回蝕刻制作工藝，以移除存儲(chǔ)器堆疊結(jié)構(gòu)的頂面上的部分第一層間介電層及部分保護(hù)層。接著形成一第二層間介電層于第一層間介電層上并直接接觸保護(hù)層，然后形成一上接觸結(jié)構(gòu)穿過第二層間介電層及存儲(chǔ)器堆疊結(jié)構(gòu)的頂面上的保護(hù)層并接觸該存儲(chǔ)器堆疊結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體元件及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體元件的制作方法，包括: 提供基底，包括邏輯元件區(qū)以及存儲(chǔ)器元件區(qū)； 形成存儲(chǔ)器堆疊結(jié)構(gòu)于該存儲(chǔ)器元件區(qū)上； 形成保護(hù)層覆蓋該存儲(chǔ)器堆疊結(jié)構(gòu)的頂面及側(cè)壁； 形成第一層間介電層于該保護(hù)層上； 進(jìn)行研磨后回蝕刻制作工藝，移除該存儲(chǔ)器堆疊結(jié)構(gòu)的該頂面上的部分該第一層間介電層及部分該保護(hù)層； 形成第二層間介電層于該第一層間介電層上并直接接觸該保護(hù)層；以及 形成上接觸結(jié)構(gòu)，穿過該第二層間介電層及該存儲(chǔ)器堆疊結(jié)構(gòu)的該頂面上的該保護(hù)層并接觸該存儲(chǔ)器堆疊結(jié)構(gòu)， 其中該研磨后回蝕刻制作工藝的步驟包括: 在該基底上形成掩模層，該掩模顯露出該存儲(chǔ)器元件區(qū)的該第一層間介電層； 以該掩模層為蝕刻掩模對(duì)顯露出來的該第一層間介電層進(jìn)行蝕刻；以及 移除該掩模層。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人聯(lián)華電子股份有限公司，其通訊地址為：中國臺(tái)灣新竹市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。