創億半導體股份有限公司張立鳴獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉創億半導體股份有限公司申請的專利功率半導體元件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114447114B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011190506.5，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權功率半導體元件及其制造方法是由張立鳴;陳美玲;李序恒設計研發完成，并于2020-10-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本功率半導體元件及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開涉及一種功率半導體元件及其制造方法，該功率半導體元件包括：第一電性外延層、第二電性第一摻雜區、第一電性第二摻雜區、元件電極、第一終端電極和第二終端電極，外延層包括主動區和終端區。第一摻雜區位于主動區中；第二摻雜區位于第一摻雜區中。接觸金屬層位于外延層上，與第二摻雜區電性接觸。元件電極位主動區中的元件溝槽中，并與外延層和接觸金屬層電性隔離。第一終端電極位于終端區中的第一終端溝槽中，并與外延層電性隔離。第二終端電極位于第一終端溝槽的底部，并與第一終端電極和外延層電性隔離。第一終端電極和第二終端電極均可選擇浮接。
本發明授權功率半導體元件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種功率半導體元件，包括： 一外延層，具有一第一電性，并包括一主動區和一終端區； 一第一摻雜區，具有一第二電性，位于該主動區的該外延層中； 一第二摻雜區，具有該第一電性，位于該第一摻雜區中； 一接觸金屬層，位于該外延層上，與該第二摻雜區電性接觸，且自該主動區連續地延伸至該終端區； 一元件電極，位于該主動區中的一元件溝槽之中，并與該外延層和該接觸金屬層電性隔離； 一第一終端電極，位于該終端區中的一第一終端溝槽之中，并與該外延層電性隔離；以及 一第二終端電極，位于該第一終端溝槽的一底部，并與該第一終端電極和該外延層電性隔離； 其中，該第一終端電極和該第二終端電極均能選擇浮接或與該接觸金屬層電性接觸，且 其中，該接觸金屬層在該終端區中為連續的。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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