臺灣積體電路制造股份有限公司楊柏峰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利鐵電隨機訪問存儲器器件和方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113410236B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010903577.9，技術領域涉及：H10B53/30；該發明授權鐵電隨機訪問存儲器器件和方法是由楊柏峰;楊世海;徐志安設計研發完成，并于2020-09-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本鐵電隨機訪問存儲器器件和方法在說明書摘要公布了：本公開涉及鐵電隨機訪問存儲器器件和方法。一種形成半導體器件的方法，包括：形成突出高于襯底的第一鰭；在第一鰭之上形成第一源極漏極區域；第一鰭之上，在第一源極漏極區域之間形成第一多個納米結構；在第一多個納米結構周圍形成第一柵極結構；以及在第一柵極結構之上并且與第一柵極結構電耦合地形成第一鐵電電容器。
本發明授權鐵電隨機訪問存儲器器件和方法在權利要求書中公布了：1.一種形成半導體器件的方法，所述方法包括： 形成突出高于襯底的第一鰭； 在所述第一鰭之上形成第一層堆疊，所述第一層堆疊包括第一半導體材料和第二半導體材料的交替層； 在所述第一鰭之上形成第一源極漏極區域； 在所述第一鰭之上，在所述第一源極漏極區域之間形成第一多個納米結構，其中，形成所述第一多個納米結構包括： 至少去除所述第一層堆疊的所述第二半導體材料的頂層；以及 在至少去除所述第二半導體材料的頂層之后，選擇性地去除所述第一層堆疊的所述第一半導體材料，其中，在選擇性去除之后，所述第一層堆疊的所述第二半導體材料保留以形成所述第一多個納米結構； 在所述第一多個納米結構周圍形成第一柵極結構；以及 在所述第一柵極結構之上并且與所述第一柵極結構電耦合地形成第一鐵電電容器。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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