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龍圖騰網(wǎng)獲悉伯恩半導(dǎo)體(無錫)有限公司申請(qǐng)的專利一種應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器的軟啟動(dòng)電路獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114884335B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210623195.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H02M1/36；該發(fā)明授權(quán)一種應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器的軟啟動(dòng)電路是由張磊設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-06-02向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器的軟啟動(dòng)電路在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于DC?DC轉(zhuǎn)換器的軟啟動(dòng)電路，包括偏置電流產(chǎn)生電路、窄脈沖時(shí)鐘產(chǎn)生器、斜坡電壓產(chǎn)生器、第一比較器和二選一電路。其中，偏置電流產(chǎn)生電路用于產(chǎn)生固定偏置電流；窄脈沖時(shí)鐘產(chǎn)生器用于產(chǎn)生窄脈沖時(shí)鐘信號(hào)；斜坡電壓產(chǎn)生器用于產(chǎn)生斜坡電壓；第一比較器用于比較斜坡電壓和外部基準(zhǔn)電壓，并輸出使能信號(hào)；二選一電路，根據(jù)使能信號(hào)選擇并輸出斜坡上升基準(zhǔn)電壓。本發(fā)明的軟啟動(dòng)電路通過窄脈沖時(shí)鐘信號(hào)，控制斜坡電壓產(chǎn)生器中電容間歇性充電，控制斜坡電壓的上升速度，延長軟啟動(dòng)時(shí)間。通過電路配置，能夠減小所需的電容值，減小電容器尺寸和電路尺寸，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)電路中電容的全集成。

本發(fā)明授權(quán)一種應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器的軟啟動(dòng)電路在權(quán)利要求書中公布了：1.一種應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器的軟啟動(dòng)電路，其特征在于，包括偏置電流產(chǎn)生電路（10）、窄脈沖時(shí)鐘產(chǎn)生器（20）、斜坡電壓產(chǎn)生器（30）、第一比較器（40）和二選一電路（50），其中， 所述偏置電流產(chǎn)生電路（10）分別連接所述窄脈沖時(shí)鐘產(chǎn)生器（20）的輸入端和所述斜坡電壓產(chǎn)生器（30）的輸入端，所述偏置電流產(chǎn)生電路（10）用于產(chǎn)生固定偏置電流；所述窄脈沖時(shí)鐘產(chǎn)生器（20）連接所述斜坡電壓產(chǎn)生器（30）的時(shí)鐘信號(hào)輸入端，用于產(chǎn)生窄脈沖時(shí)鐘信號(hào)clk；所述斜坡電壓產(chǎn)生器（30）連接所述第一比較器（40）的同相輸入端，用于根據(jù)所述窄脈沖時(shí)鐘信號(hào)clk產(chǎn)生斜坡電壓VSS；所述第一比較器（40）的反相輸入端輸入外部基準(zhǔn)電壓VREF，輸出端與所述二選一電路（50）連接，用于對(duì)所述斜坡電壓VSS和所述外部基準(zhǔn)電壓VREF進(jìn)行比較，并根據(jù)比較結(jié)果輸出使能信號(hào)EN；所述二選一電路（50），用于根據(jù)所述使能信號(hào)EN選擇并輸出斜坡上升基準(zhǔn)電壓VREF_SS； 所述偏置電流產(chǎn)生電路（10）包括，第一NMOS管（MN1）、第二NMOS管（MN2）、第三NMOS管（MN3）、第一PMOS管（MP1）、第二PMOS管（MP2）、第三PMOS管（MP3）、第一電阻（R1）和第二電阻（R2）；其中，所述第一NMOS管（MN1）的柵極輸入所述外部基準(zhǔn)電壓VREF，所述第一NMOS管（MN1）源極分別連接所述第二NMOS管（MN2）的源極和所述第一電阻（R1）的第一端，所述第一電阻（R1）第二端連接接地端（GND），所述第一NMOS管（MN1）的漏極分別連接所述第一PMOS管（MP1）的漏極和柵極；所述第二NMOS管（MN2）的柵極分別連接所述第三NMOS管（MN3）的源極和所述第二電阻（R2）的第一端，所述第二電阻（R2）第二端連接所述接地端（GND），所述第二NMOS管（MN2）的漏極分別連接所述第三NMOS管（MN3）的柵極和所述第二PMOS管（MP2）的漏極；所述第三NMOS管（MN3）的漏極連接所述第三PMOS管（MP3）的漏極；所述第一PMOS管（MP1）的柵極分別連接所述第二PMOS管（MP2）的柵極和所述第三PMOS管（MP3）的柵極；所述第一PMOS管（MP1）、所述第二PMOS管（MP2）和所述第三PMOS管（MP3）的源極均連接電源電壓端（VDD）； 所述窄脈沖時(shí)鐘產(chǎn)生器（20）包括，第四PMOS管（MP4）、第四NMOS管（MN4）、或門（OR1）、第一電容（C1）和第二比較器（20-1）；其中，所述第四PMOS管（MP4）的柵極連接所述第三PMOS管（MP3）的柵極，所述第四PMOS管（MP4）的源極連接所述電源電壓端（VDD），所述第四PMOS管（MP4）的漏極分別連接所述第二比較器（20-1）的同相輸入端、所述第一電容（C1）的上極板和所述第四NMOS管（MN4）的漏極，所述第一電容（C1）的下極板連接所述接地端（GND）；所述第四NMOS管（MN4）的柵極連接所述或門（OR1）的輸出端，所述第四NMOS管（MN4）的源極連接所述接地端（GND）；所述第二比較器（20-1）的反相輸入端輸入所述外部基準(zhǔn)電壓VREF，所述第二比較器（20-1）的輸出端分別連接所述或門（OR1）的第一輸入端和所述斜坡電壓產(chǎn)生器（30）的時(shí)鐘信號(hào)輸入端；所述或門（OR1）的第二輸入端連接所述第一比較器（40）的輸出端； 所述斜坡電壓產(chǎn)生器（30）包括，第五PMOS管（MP5）、第六PMOS管（MP6）、第二電容（C2）和第一非門（INV1）；其中，所述第一非門（INV1）的輸入端連接所述第二比較器（20-1）的輸出端，所述第一非門（INV1）的輸出端連接所述第六PMOS管（MP6）的柵極；所述第五PMOS管（MP5）的柵極連接所述第四PMOS管（MP4）的柵極，所述第五PMOS管（MP5）的源極連接所述電源電壓端（VDD），所述第五PMOS管（MP5）的漏極連接所述第六PMOS管（MP6）的源極；所述第六PMOS管（MP6）的漏極分別連接所述第二電容（C2）的上極板和所述第一比較器（40）的同相輸入端，所述第二電容（C2）下極板連接所述接地端（GND）； 所述偏置電流產(chǎn)生電路（10）產(chǎn)生的固定偏置電流經(jīng)過由所述第四PMOS管（MP4）和所述第五PMOS管（MP5）組成的電流鏡，為所述窄脈沖時(shí)鐘產(chǎn)生器（20）和所述斜坡電壓產(chǎn)生器（30）分別提供偏置電流。

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