買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉成都楞次科技有限公司申請的專利一種GaN FET半橋串擾抑制電路獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114844345B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產權局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202210536004.6，技術領域涉及：H02M1/44；該發(fā)明授權一種GaN FET半橋串擾抑制電路是由畢闖;王娜;洪濤;賈科林設計研發(fā)完成，并于2022-05-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種GaN FET半橋串擾抑制電路在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于電子電路技術領域，具體涉及一種GaNFET半橋串擾抑制電路。本發(fā)明提供一種GaN半橋串擾抑制電路，利用有源器件實現(xiàn)串擾抑制，并防止因橋臂串擾導致GaN橋臂直通或器件擊穿，抑制效果明顯，能夠很好的保證GaN器件的正確開通和關斷。

本發(fā)明授權一種GaN FET半橋串擾抑制電路在權利要求書中公布了：1.一種GaNFET半橋串擾抑制電路，連接于GaN同步BUCK電路的GaN器件柵極、源極之間，其特征在于，包括第一GaN開關管、第二GaN開關管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第六電阻、第七電阻、第八電阻、第九電阻、第十電阻、第十一電阻、電容、第一電感、第二電感、第一三極管、第二三極管、第三三極管、第四三極管、第一二極管、第二二極管、第三二極管、第四二極管、第一開關管、第二開關管、第三開關管、第四開關管、第一電壓源、第二電壓源、第三電壓源和第四電壓源；其中，第一GaN開關管的漏極通過第一電感后接母線電壓正極，其柵極依次通過第一電阻、第二電阻和第二二極管后接第一開關管的源極和第二開關管的漏極；第五電阻并聯(lián)在第二二極管和第二電阻兩端；第一開關管的漏極接第一電壓源的正端，其柵極接第一控制信號；第二開關管的源極接第二電壓源的負端，其柵極接第二控制信號；第一電壓源的負端和第二電壓源的正端接第一GaN開關管的源極、第二GaN開關管的漏極、第二電感的一端；第一三極管的集電極接第一二極管的負極，第一二極管的正極接第二開關管的源極、第三電阻的一端、第四電阻的一端、第二三極管的集電極；第三電阻的另一端接第一三極管的基極，第一三極管的發(fā)射極接第一電阻和第二電阻的連接點，以及第二三極管的發(fā)射極；第二三極管的基極接第四電阻的另一端； 第二GaN開關管的柵極依次通過第六電阻、第七電阻和第四二極管后接第三開關管的源極和第四開關管的漏極；第十電阻并聯(lián)在第四二極管和第七電阻兩端；第三開關管的漏極接第三電壓源的正端，其柵極接第三控制信號；第四開關管的源極接第四電壓源的負端，其柵極接第四控制信號；第三電壓源的負端和第四電壓源的正端接第二GaN開關管的源極和母線電壓負極；第三三極管的集電極接第三二極管的負極，第三二極管的正極接第四開關管的源極、第八電阻的一端、第九電阻的一端、第四三極管的集電極；第八電阻的另一端接第三三極管的基極，第三三極管的發(fā)射極接第六電阻和第七電阻的連接點，以及第四三極管的發(fā)射極；第四三極管的基極接第九電阻的另一端； 第二電感的另一端接由電容和第十一電阻構成的并聯(lián)電路從而形成輸出端接GaN器件柵極。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人成都楞次科技有限公司，其通訊地址為：610015 四川省成都市高新區(qū)天仁路387號3棟1單元15層1503號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。