武漢高芯科技有限公司黃立獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉武漢高芯科技有限公司申請的專利一種計算超晶格材料能帶結構的方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114861394B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210330738.9,技術領域涉及:G06F30/20;該發明授權一種計算超晶格材料能帶結構的方法是由黃立;薛堪豪;王曉碧;劉永鋒;吳佳;楊晟鑫;周文洪設計研發完成,并于2022-03-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種計算超晶格材料能帶結構的方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種計算超晶格材料能帶結構的方法,包括如下步驟:從頭計算襯底的晶格常數以及構成超晶格的各種體材料的晶格常數;利用襯底晶格常數以及構成超晶格的各種體材料的晶格常數,構建超晶格模型;對超晶格模型進行弛豫;利用shDFT?12算法進行電子自相互作用修正,獲得修正后的贗勢;使用修正后的贗勢計算超晶格的電子能帶結構。本發明提出優化后的shDFT?12計算方法,針對InAs、GaSb等共價半導體及其組成的超晶格材料取得了良好的計算結果,shDFT?12計算方法無經驗參數,不僅精確度高且普適性強。
本發明授權一種計算超晶格材料能帶結構的方法在權利要求書中公布了:1.一種計算超晶格材料能帶結構的方法,其特征在于,包括如下步驟: 從頭計算襯底的晶格常數以及構成超晶格的各體材料的晶格常數; 利用襯底晶格常數以及構成超晶格的各種體材料的晶格常數,構建超晶格模型,具體包括:初步構建超晶格原胞,其a、b方向的晶格常數設置為襯底晶格常數計算值的倍數;其c方向的晶格常數初始設置為構成超晶格的各個體材料對應的計算值的m倍數之和;不擴胞的情況下,a、b方向的晶格常數等于襯底的晶格常數計算值;若要使超晶格模型的界面層達到相應的比例,則構建超晶格模型時需要根據摻雜或界面層元素比例進行擴胞,通過擴胞來實現界面層相應不同比例的成分控制,需要擴胞時,如果a或b方向上擴胞擴成了n倍,則其a或b方向的晶格常數設置為襯底晶格常數計算值的n倍; c方向是材料的生長方向,有xMLInAs-yMLGaSb-0.1xMLInSb為一個周期進行周期性生長,不擴胞的情況下,該倍數m應該是x+y2+1,如果該倍數m非整數,則還要通過擴胞將m翻倍變成整數; 對超晶格模型進行弛豫; 利用shDFT-12算法進行電子自相互作用修正,獲得修正后的贗勢; 使用修正后的贗勢計算超晶格的電子能帶結構。
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