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      三星電子株式會(huì)社權(quán)容煥獲國家專利權(quán)

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      龍圖騰網(wǎng)獲悉三星電子株式會(huì)社申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體封裝件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN112992846B

      龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202011387666.9,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L23/498;該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體封裝件是由權(quán)容煥設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2020-12-01向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

      半導(dǎo)體封裝件在說明書摘要公布了:一種半導(dǎo)體封裝件,包括:包括第一再分布層的再分布基板,位于所述再分布基板上的第一模制構(gòu)件,位于所述第一模制構(gòu)件上并且具有再分布焊盤的第二再分布層,位于第二模制構(gòu)件的上表面上并且電連接到所述第二再分布層的電連接焊盤,以及位于所述第二模制構(gòu)件上并且具有暴露所述電連接焊盤的至少一部分的開口的鈍化層。所述電連接焊盤包括:包含第一金屬的導(dǎo)體層和位于所述導(dǎo)體層上且包含第二金屬的接觸層。所述再分布焊盤包括不同于所述第一金屬和所述第二金屬的第三金屬。所述電連接焊盤的被所述開口暴露的所述部分的寬度大于所述再分布焊盤的寬度。

      本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體封裝件在權(quán)利要求書中公布了:1.一種半導(dǎo)體封裝件,包括: 再分布基板,所述再分布基板包括第一再分布層; 半導(dǎo)體芯片,所述半導(dǎo)體芯片位于所述再分布基板上并且電連接到所述第一再分布層; 第一模制構(gòu)件,所述第一模制構(gòu)件位于所述再分布基板上并且直接位于所述半導(dǎo)體芯片上; 第二再分布層,所述第二再分布層位于所述第一模制構(gòu)件上并且具有再分布焊盤; 豎直連接結(jié)構(gòu),所述豎直連接結(jié)構(gòu)位于所述再分布基板與所述第二再分布層之間并且將所述第一再分布層和所述第二再分布層彼此電連接; 第二模制構(gòu)件,所述第二模制構(gòu)件位于所述第一模制構(gòu)件上以及所述第二再分布層的至少一部分上; 電連接焊盤,所述電連接焊盤位于所述第二模制構(gòu)件的最上表面上并且電連接到所述第二再分布層;以及 鈍化層,所述鈍化層位于所述第二模制構(gòu)件上并且具有暴露所述電連接焊盤的至少一部分的開口, 其中,所述電連接焊盤包括:包含第一金屬的導(dǎo)體層和位于所述導(dǎo)體層上且包含第二金屬的接觸層, 其中,所述再分布焊盤包括不同于所述第一金屬和所述第二金屬的第三金屬, 其中,所述電連接焊盤的被所述開口暴露的所述部分的寬度大于所述再分布焊盤的寬度,并且 其中,所述豎直連接結(jié)構(gòu)延伸穿過所述第一模制構(gòu)件。

      如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人三星電子株式會(huì)社,其通訊地址為:韓國京畿道;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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