臺灣積體電路制造股份有限公司柯忠廷獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利用于形成半導體器件和系統的沉積工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113035782B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011197842.2，技術領域涉及：H10D84/01；該發明授權用于形成半導體器件和系統的沉積工藝是由柯忠廷;徐志安設計研發完成，并于2020-10-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于形成半導體器件和系統的沉積工藝在說明書摘要公布了：本公開涉及用于形成半導體器件和系統的沉積工藝。一種方法包括：將半導體襯底置于沉積室中，其中，半導體襯底包括溝槽；以及執行原子層沉積ALD工藝以在溝槽內沉積電介質材料，包括：使電介質材料的第一前體作為氣相流入沉積室；使電介質材料的第二前體作為氣相流入沉積室；以及控制沉積室內的壓力和溫度，使得第二前體作為第二前體的液相凝聚在溝槽內的表面上，其中，第二前體的液相具有毛細現象。
本發明授權用于形成半導體器件和系統的沉積工藝在權利要求書中公布了：1.一種用于形成半導體器件的方法，包括： 將半導體襯底置于沉積室中，其中，所述半導體襯底包括溝槽；以及 執行原子層沉積ALD工藝以在所述溝槽內沉積電介質材料，包括： 使所述電介質材料的第一前體作為氣相流入所述沉積室； 使所述電介質材料的第二前體作為氣相流入所述沉積室； 控制所述沉積室內的壓力和溫度，使得所述第二前體作為所述第二前體的液相凝聚在所述溝槽內的表面上，其中，所述第二前體的所述液相具有毛細現象；以及 不完全地清除未反應的第二前體，使得所述未反應的第二前體的一部分在所述溝槽的底部附近保留在所述液相中。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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