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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114171459B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010955120.2，技術領域涉及：H10D84/01；該發明授權半導體結構的形成方法是由金吉松;亞伯拉罕·庾設計研發完成，并于2020-09-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構的形成方法，包括：提供基底，基底包括第一區；在第一區上形成第一柵介質結構；在第一柵介質結構上形成第一阻擋層；對第一阻擋層進行改性處理，形成改性層；在改性層上形成第一擴散層，第一擴散層內具有極化原子；對第一擴散層和第二擴散層進行退火處理，驅動位于第一擴散層內的極化原子擴散至第一柵介質結構內，形成第一極化層。通過對第一阻擋層進行改性處理，形成改性層，形成的改性層能夠增強或減弱對極化原子的阻擋作用，從而避免了利用對第一阻擋層的堆疊層數來調節對極化原子的阻擋效果，簡化了制程步驟，同時也避免了第一阻擋層的堆疊層數過多而較難填入到相鄰的鰭部結構之間的問題，有效提升最終形成的半導體結構的性能。

本發明授權半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括第一區和第二區； 在所述第一區上形成第一柵介質結構； 在所述第二區上形成第二柵介質結構； 在所述第一柵介質結構上形成第一阻擋層； 在所述第二柵介質結構上形成第二阻擋層； 對所述第一阻擋層進行改性處理，形成改性層； 在所述改性層上形成第一擴散層，所述第一擴散層內具有極化原子； 在所述第二阻擋層上形成第二擴散層，所述第二擴散層內具有所述極化原子； 對所述第一擴散層和所述第二擴散層進行退火處理，驅動位于所述第一擴散層內的所述極化原子擴散至所述第一柵介質結構內，形成第一極化層，驅動位于所述第二擴散層內的所述極化原子擴散至所述第二柵介質結構內，形成第二極化層； 在形成第一極化層之后，在所述第一區上形成第一柵極結構，所述第一柵極結構兩側的基底內具有第一源漏摻雜層，在所述第一區上形成第一晶體管結構； 在形成第二極化層之后，在所述第二區上形成第二柵極結構，所述第二柵極結構兩側的基底內具有第二源漏摻雜層，在所述第二區上形成第二晶體管結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。