江蘇神州半導體科技有限公司潘小剛獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉江蘇神州半導體科技有限公司申請的專利一種遠程等離子源腔體氧化膜穩定性提升方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120376394B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510837238.8，技術領域涉及：H01J37/32；該發明授權一種遠程等離子源腔體氧化膜穩定性提升方法是由潘小剛;顧小軍;金玉亮;朱國俊設計研發完成，并于2025-06-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種遠程等離子源腔體氧化膜穩定性提升方法在說明書摘要公布了：本發明屬于遠程等離子體源技術領域，提供了一種遠程等離子源腔體氧化膜穩定性提升方法，包括：將經過表面預處理的鋁材進行高溫水蒸氣封孔處理；切削加工去除表面的水鋁石層；對解離腔體進行混合氣體鈍化并循環預設次數，混合氣體鈍化包括預鈍化、水合鈍化和協同鈍化。本發明首先對氧化層進行高溫水蒸氣封孔，然后對表面水鋁石層進行切削，增加表面活性位點數量利于OH鍵吸附；之后進行預鈍化、水合鈍化和協同鈍化并循環預設次數，保證OH鍵的穩定性，提升RPS腔體的使用壽命；利用隨機森林算法確定混合氣體比例，通過影響氧化膜層表面OH鍵覆蓋密度，降低RPS功率運行窗口下限，滿足FCVD工藝的沉積速率需求。
本發明授權一種遠程等離子源腔體氧化膜穩定性提升方法在權利要求書中公布了：1.一種遠程等離子源腔體氧化膜穩定性提升方法，其特征在于，包括： S1.將經過表面預處理的鋁材進行高溫水蒸氣封孔處理，消耗原有氧化膜生成水鋁石層； S2.將S1所得制品進行切削加工，去除表面的水鋁石層； S3.將S2所得制品組裝形成解離腔體，進行混合氣體鈍化并循環預設次數，之后進行冷卻、干燥；所述混合氣體鈍化包括依次進行的預鈍化、水合鈍化和協同鈍化， 所述預鈍化為：遠程等離子體源開啟，通入點火氣體和氧氣，形成初始氧化層； 所述水合鈍化為：遠程等離子體源關閉，通入水蒸氣進行水合處理，在初始氧化層表面生成OH鍵； 所述協同鈍化為：遠程等離子體源開啟，同時通入點火氣體、輔助催化氣體和氫氣，點火氣體和輔助催化氣體吹掃弱化的OH鍵，氫氣和殘留氧原子生成OH鍵。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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