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龍圖騰網獲悉北京北方華創微電子裝備有限公司申請的專利晶圓在邊緣刻蝕腔室中定位的定位方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114156219B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111405153.0，技術領域涉及：H01L21/68；該發明授權晶圓在邊緣刻蝕腔室中定位的定位方法是由王炳元;王松濤;張德群;李爾林設計研發完成，并于2021-11-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本晶圓在邊緣刻蝕腔室中定位的定位方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種晶圓在邊緣刻蝕腔室中定位的定位方法，涉及半導體工藝領域。所述定位方法包括：將邊緣刻蝕腔室中初始的機械中心點的位置參數輸入傳輸裝置，控制傳輸裝置根據位置參數將晶圓傳輸至邊緣刻蝕腔室中；對晶圓進行邊緣刻蝕工藝；在晶圓的邊緣區域上選取多個不同半徑值的采樣圓；從每個采樣圓上選取多個采樣點，并檢測各采樣點的刻蝕速率；計算每個采樣圓上多個采樣點的平均刻蝕速率；根據預設函數確定初始的機械中心點與邊緣刻蝕腔室中的理想中心點之間的偏移量和偏移方向；將上述偏移量的補償參數輸入傳輸裝置，獲得補償后的機械中心點。本申請能夠解決晶圓在邊緣刻蝕腔室中出現位置偏差而降低工藝精度、影響產品質量的問題。

本發明授權晶圓在邊緣刻蝕腔室中定位的定位方法在權利要求書中公布了：1.一種晶圓在邊緣刻蝕腔室中定位的定位方法，其特征在于，所述定位方法包括： 將所述邊緣刻蝕腔室中初始的機械中心點的位置參數輸入傳輸裝置，控制所述傳輸裝置根據初始的所述機械中心點的位置參數將所述晶圓傳輸至所述邊緣刻蝕腔室中； 對所述晶圓進行邊緣刻蝕工藝； 在所述晶圓的邊緣區域上選取多個不同半徑值的采樣圓，從每個所述采樣圓上分別選取多個采樣點，并檢測各個所述采樣點的刻蝕速率； 計算出每個所述采樣圓上的所述多個采樣點的平均刻蝕速率； 根據多個采樣點的所述刻蝕速率以及每個所述采樣圓上的所述多個采樣點的平均刻蝕速率，根據預設函數確定初始的所述機械中心點與所述邊緣刻蝕腔室中的理想中心點之間的偏移量和偏移方向；其中，根據多個采樣點的所述刻蝕速率以及每個采樣圓上的所述多個采樣點的平均刻蝕速率，確定相鄰兩個所述采樣圓上的所述多個采樣點的平均刻蝕速率的差值，所述預設函數為：ΔLnm=（VERnm–Meanrn）（Meanrn–Meanr（n+1））*Δr，其中：Meanrn為第n個采樣圓上多個采樣點的平均刻蝕速率，Meanr（n+1）為第n+1個采樣圓上多個采樣點的平均刻蝕速率，VERnm為第n個采樣圓上第m個采樣點的刻蝕速率，ΔLnm為第n個采樣圓上第m個采樣點相對于所述理想中心點的偏移量，Δr為相鄰兩個采樣圓的半徑差值，根據所述預設函數計算出各個所述采樣點相對于所述理想中心點的偏移量，對各個采樣點相對于所述理想中心點的偏移量進行數據統計，并根據統計結果確認初始的所述機械中心點與所述邊緣刻蝕腔室中的理想中心點之間的偏移量； 將初始的所述機械中心點與所述邊緣刻蝕腔室中的理想中心點之間的偏移量的補償參數輸入所述傳輸裝置，獲得補償后的所述機械中心點。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京北方華創微電子裝備有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區經濟技術開發區文昌大道8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。